如何選擇真空鍍膜設(shè)備供應(yīng)商

真空檢測(cè)系統(tǒng)，目前基本都是用復(fù)合真空計(jì)，熱偶規(guī) 電離規(guī)的組合，這個(gè)組合在遇到充入大量含有C元素的氣體的工藝，電離規(guī)很容易毒化，造成電離規(guī)損壞，如果鍍制含有大量C元素的氣體的工藝，可以考慮，配置電容薄膜規(guī)。

真空電源，國(guó)產(chǎn)電源和進(jìn)口電源的差距還是比較明顯，當(dāng)然價(jià)格也比較優(yōu)惠，一臺(tái)國(guó)產(chǎn)的20KW中頻電源在8萬(wàn)左右，一臺(tái)進(jìn)口的中頻電源在20萬(wàn)，進(jìn)口電源的性能和可靠性，穩(wěn)定性會(huì)更好，國(guó)產(chǎn)電源由于產(chǎn)地就在國(guó)內(nèi)，可能在服務(wù)上要好于進(jìn)口電源。

真空鍍膜系統(tǒng)主要構(gòu)成

1.真空室

涂層設(shè)備主要有連續(xù)涂層生產(chǎn)線及單室涂層機(jī)兩種形式，不銹鋼材料制造、表面進(jìn)行化學(xué)拋光處理，真空室組件上焊有各種規(guī)格的法蘭接口。

2.真空獲得部分

在真空技術(shù)中，真空獲得部分是重要組成部分。真空的獲得不是一種真空設(shè)備和方法所能達(dá)到的，必須將幾種泵聯(lián)合使用，如機(jī)械泵、羅茨泵、分子泵系統(tǒng)等。

3.真空測(cè)量部分

真空系統(tǒng)的真空測(cè)量部分，就是要對(duì)真空室內(nèi)的壓強(qiáng)進(jìn)行測(cè)量。像真空泵一樣，沒(méi)有一種真空計(jì)能測(cè)量整個(gè)真空范圍，人們于是按不同的原理和要求制成了許多種類的真空計(jì)。

4.電源供給部分

靶電源主要有直流電源、中頻電源、脈沖電源、射頻電源(RF)。

5.工藝氣體輸入系統(tǒng)

工藝氣體，如氮?dú)?N2)、氫氣(H2)、氧氣(O2)等，一般均由氣瓶供應(yīng)，經(jīng)氣體減壓閥、氣體截止閥、管路、氣體流量計(jì)、電磁閥、壓電閥，然后通入真空室。

6.機(jī)械傳動(dòng)部分

涂層要求周邊必須厚度均勻一致，因此，在涂層過(guò)程中須有三個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)量才能滿足要求。

7.加熱及測(cè)溫部分

涂層設(shè)備一般有不同位置的加熱器，用熱電偶測(cè)控溫度。但是，由于熱電偶裝夾的位置與工件位置不同，溫度讀數(shù)不可能是工件的真實(shí)溫度。要想測(cè)得工件的真實(shí)溫度，有很多方法，可以在工件上裝高溫試紙或熱偶計(jì)。

8.離子蒸發(fā)及濺射源

多弧鍍的蒸發(fā)源一般為圓餅形，俗稱圓餅靶，也有長(zhǎng)方形的多弧靶。靶座中裝有磁鐵，通過(guò)前后移動(dòng)磁鐵，改變磁場(chǎng)強(qiáng)度，可調(diào)整弧斑移動(dòng)速度及軌跡。為了降低靶及靶座的溫度，要給靶座不斷通入冷卻水。為了保證靶與靶座之間的高導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，還可以在靶與靶座之間加錫墊片。

9.水冷系統(tǒng)

一般由冷水塔，冰水機(jī)，水泵等組成。

10.工控系統(tǒng)

真空鍍膜系統(tǒng)

真空度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較穩(wěn)定，但是也會(huì)受到一些因素的影響，比如大氣壓，但是安裝真空泵過(guò)濾器是不會(huì)對(duì)真空度產(chǎn)生影響。

關(guān)鍵對(duì)鍍膜加工工藝的危害，不管哪些鍍膜方法，真空鍍膜多少錢，真空度越高亦意味著爐內(nèi)含有的雜氣分子越少，那樣鍍膜膜層成份就更趨于你要想的占比，簡(jiǎn)易的說(shuō)便是純凈度及結(jié)晶體情況更具精密性。

另外，針對(duì)鍍膜而言，都有加溫這一基本步驟，較高的真空度能夠避免板材表層空氣氧化或滲氮，對(duì)結(jié)合性有非常大的協(xié)助。

真空鍍膜工藝對(duì)真空泵的要求較高，同時(shí)，對(duì)真空泵過(guò)濾器也具有較高要求，因此推動(dòng)真空泵過(guò)濾器的發(fā)展進(jìn)步。

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