四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

四氟化碳（CF4）早就是通過氟碳直接反應法制得的，該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，后經(jīng)精餾而得成品。

隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴大，光伏發(fā)電累計裝機容量不斷上升，預計2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。

在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，經(jīng)精餾而得成品。四氟化碳（CF4）在電離后會產生含成分的刻蝕性氣相等離子體，能夠對各種有機表面實現(xiàn)刻蝕及有機物去除，在晶圓制造、線路板制造、太陽能電池板制造等行業(yè)中被廣泛應用。在全球范圍內，高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū)，受電子產業(yè)發(fā)展程度不同影響，對于高純度四氟化碳的需求也不同，亞洲地區(qū)由于電子產業(yè)發(fā)展落后，近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展狀態(tài)，因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費量持續(xù)攀升。