近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們華科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù)，對一些檢修，維護領域的工作有比較好的幫助，目前國內我們華科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀，包括動態(tài)測試儀，與的設備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進。2關斷：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。

測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。賣方由于自身原因而延遲交貨時，買方有權按商務規(guī)定方法向賣方收取罰款。

如何檢測元件有老化的現(xiàn)象？主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。 半導體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時，僅須測量導通參數(shù)及漏電流二項即可。將量測的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導體元件的參數(shù)？對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數(shù)要求 ?低壓開關電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?同一測試條件的器件的測試曲線可以在軟件內進行對比，新測曲線可以與原測曲線進行對比?？烧{電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調 ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V