測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應用本公司測試系統(tǒng)可對所應用到的半導體元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。1示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y試電路 通態(tài)壓降測試電路 ?功率元件由于經(jīng)常有大電流往復的沖擊，對半導體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時間：40~100ms可設(shè)定