大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問題？

任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降時(shí)間 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時(shí)間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍：200～10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍：100～10000V/us

其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 關(guān)斷時(shí)間采用單脈沖測試，由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測試要求值，開關(guān)被測器件DUT一次，被測器件的開沖持續(xù)時(shí)間必須保證DUT完全飽和，同時(shí)監(jiān)測集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，記錄下被測器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對測試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測試結(jié)果。公司裝備精良，具有先進(jìn)的檢測手段，產(chǎn)品生產(chǎn)嚴(yán)格按照ISO9001∶2008標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量管理體系運(yùn)行，其品質(zhì)、技術(shù)及工藝方面保持國內(nèi)，部分產(chǎn)品達(dá)到國外同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。