（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

1.1 設(shè)備數(shù)量 1套 * 1.2 設(shè)備功能 測(cè)試功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù) * 1.3 設(shè)備組成 設(shè)備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分 * 1.4 硬件模塊 設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線纜，測(cè)試夾具、控制電腦等 * 1.5 軟件模塊 設(shè)備軟件部分應(yīng)包括： 1.操作系統(tǒng)、備份、保存、遠(yuǎn)程控制編輯、上傳、故障自檢報(bào)警等基本功能； 2. 圖形化操作界面；中/英文操作系統(tǒng) 3.輸出EXCEL、wor測(cè)試報(bào)告 *4.切換大小功率測(cè)試模塊，達(dá)到相應(yīng)測(cè)試精度 *5.可生成器件的I-V特性曲線，曲線上測(cè)試點(diǎn)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出到EXCEL表格；測(cè)試工作電壓：10kV（整體設(shè)備滿足GB19517—2009標(biāo)準(zhǔn)外，局部絕緣電壓應(yīng)滿足測(cè)試需求）18）其他輔件。 *6.同一測(cè)試條件的器件的測(cè)試曲線可以在軟件內(nèi)進(jìn)行對(duì)比，新測(cè)曲線可以與原測(cè)曲線進(jìn)行對(duì)比； 2、設(shè)備尺寸 2.1 設(shè)備總體長(zhǎng)度 ≤ 700 mm 2.2 設(shè)備總體寬度 ≤600mm 2.3 設(shè)備總體高度 ≤500mm

IGBT半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：

?半導(dǎo)體元器件檢測(cè)中心——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可擴(kuò)大檢測(cè)中心的檢測(cè)范圍、提高檢測(cè)效率，提升檢測(cè)水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；

?半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；

?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

5 包裝、標(biāo)志和運(yùn)輸 賣方負(fù)責(zé)整套設(shè)備的包裝和運(yùn)輸，并負(fù)擔(dān)由此產(chǎn)生的費(fèi)用。出廠調(diào)試結(jié)束、出廠前預(yù)驗(yàn)收完成后，賣方將為每個(gè)柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅(jiān)固，能適應(yīng)中國境內(nèi)公路、鐵路運(yùn)輸，并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場(chǎng)保存時(shí)間的要求。1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3。包裝與運(yùn)輸由專人負(fù)責(zé)，每個(gè)部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗(yàn)報(bào)告和主要器件說明書等。