測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè), 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。因此，定期檢測(cè)可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

IGBT半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：

?半導(dǎo)體元器件檢測(cè)中心——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可擴(kuò)大檢測(cè)中心的檢測(cè)范圍、提高檢測(cè)效率，提升檢測(cè)水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；

?半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；

?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

2.3柵極電荷技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 柵極電荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 測(cè)試條件： 1、柵極驅(qū)動(dòng)電壓：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V 2、集電極電流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集電極電壓：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、柵極驅(qū)動(dòng)電流：滿足5A以下測(cè)試要求