IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問(wèn)題。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問(wèn)題？

任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問(wèn)題。半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。

3.1開(kāi)通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開(kāi)通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開(kāi)通時(shí)間定義（見(jiàn)下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開(kāi)通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr