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封裝用IGBT測試儀現(xiàn)貨供應(yīng)好貨源好價格 華科動態(tài)參數(shù)IGBT

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發(fā)布時間:2020-08-26 07:11  

測量目的:對模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化,飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此,定期檢測可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成,由于個體差異,大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。4驗收和測試 1)驗收由雙方共同參加,按照技術(shù)規(guī)范書的技術(shù)要求逐項完成所有測試項,檢驗單元是否功能齊全、模塊完整、正常運(yùn)行。因此,測量大電流情況下的各個模塊實際技術(shù)參數(shù),進(jìn)行跟蹤管理,可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線(單管),Vcesat隨電流變大而增大。


3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度:海拔不超過1000m;

2)溫度:儲存環(huán)境溫度 -20℃~60℃;

3)工作環(huán)境溫度: -5℃~40℃;

4)濕度:20%RH 至 90%RH (無凝露,濕球溫度計溫度: 40℃以下);

5)震動:抗能力按7級設(shè)防,地面抗震動能力≤0.5g;

6)防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;


關(guān)斷時間測試參數(shù): 1、關(guān)斷時間toff:5~2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時間td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf:5~2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、關(guān)斷耗散功率Pon:10W~250kW 關(guān)斷時間測試條件: 1、集電極電壓Vce:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A;


5 包裝、標(biāo)志和運(yùn)輸 賣方負(fù)責(zé)整套設(shè)備的包裝和運(yùn)輸,并負(fù)擔(dān)由此產(chǎn)生的費(fèi)用。出廠調(diào)試結(jié)束、出廠前預(yù)驗收完成后,賣方將為每個柜子量身定做包裝柜,保證包裝堅固,能適應(yīng)中國境內(nèi)公路、鐵路運(yùn)輸,并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場保存時間的要求。001~10V 集電極電流ICE: 0-1600A 集電極電壓VCEs: 0。包裝與運(yùn)輸由專人負(fù)責(zé),每個部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。


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