（2）主要技術參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

安全工作區(qū)測試負載電感

?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）

?瞬態(tài)電壓 大于10kV

?負載電感 配備自動切換開關，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

5）補充充電回路限流電感

限制充電回路中的di/dt。

?電感量 100μH

?電流能力 6000A （5ms）

?瞬時耐壓 10kV

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度 <70%

13）被測器件旁路開關 被測安全接地開關，設備不運行時，被測接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應時間 150ms ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 14）工控機及操作系統(tǒng) 用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術參數(shù)要求如下： ?機箱：4Μ 15槽上架式機箱； ?支持ATX母板；IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。 ?CPΜ：INTEL雙核； ?主板：研華SIMB； ?硬盤：1TB；內存4G； ?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器； ?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。 ?西門子PLC邏輯控制