3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。 200～1000mA±1%±2mA；

9、系統(tǒng)保護功能

9.1 有完備的安全控制單元，動態(tài)測試設備有傳感器來保證操作者安全，設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。

9.2 有急停按鈕，當急停按鈕被按下時，迅速切斷所有高壓電源。

9.3 系統(tǒng)帶有短路保護功能，在過載時迅速斷開高壓高電流。

9.4 操作系統(tǒng)帶有多級權限。

9.5 系統(tǒng)應配有內置ups，保證計算機系統(tǒng)在電網(wǎng)短時間掉電情況下，為系統(tǒng)供電0.5小時以上，確保系統(tǒng)及數(shù)據(jù)安全。

10、樣品夾具

10.1 有通用測試夾具。

10.2 帶有62mm封裝測試夾具

10.3 帶有EconoPACK3封裝測試夾具

10.4 帶有34mm封裝測試夾具

3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發(fā)信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr