3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動(dòng)態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40℃以下)；

5)震動(dòng)：抗能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力≤0.5g；

6)防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

靜態(tài)及動(dòng)態(tài)測試系統(tǒng) 技術(shù)規(guī)范 供貨范圍一覽表 序號(hào) 名稱 型號(hào) 單位 數(shù)量 1 半導(dǎo)體靜態(tài)及動(dòng)態(tài)測試系統(tǒng) HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對(duì)所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí)，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。半導(dǎo)體元器件檢測中心——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可擴(kuò)大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經(jīng)濟(jì)效益。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測試電路） ?滿足表格9測試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?3-2002印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T9969-2008工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T6988-2008電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T3859。高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V