3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

14）工控機及操作系統(tǒng)

用于控制及數據處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術參數要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數據采集與處理單元

用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數據采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數據提?。簻y試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數據格式；所檢測數據可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據；?數據處理和狀態(tài)檢測部分內容可擴展