華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線(xiàn)檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)的在線(xiàn)IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；電流 通過(guò)選擇不同檔位電感，滿(mǎn)足0~200A電流輸出需求（10ms）。 近兩年IGBT測(cè)試儀持續(xù)火爆，新能源汽車(chē)，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測(cè)試儀，可以測(cè)試1200A，5000V以?xún)?nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測(cè)試了，我們IGBT測(cè)試儀還可以在線(xiàn)檢測(cè)模塊的電性能參數(shù)，對(duì)一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國(guó)內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測(cè)試儀，包括動(dòng)態(tài)測(cè)試儀，與國(guó)際品牌的設(shè)備也可以放在一起競(jìng)爭(zhēng)了，而且我們不怕競(jìng)爭(zhēng)，這對(duì)我們是一種促進(jìn)。

華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿(mǎn)足本技術(shù)規(guī)格書(shū)的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿(mǎn)足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程中的IGBT器件電壓過(guò)沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 用于防止測(cè)試過(guò)程中的過(guò)電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態(tài)電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%

5 包裝、標(biāo)志和運(yùn)輸 賣(mài)方負(fù)責(zé)整套設(shè)備的包裝和運(yùn)輸，并負(fù)擔(dān)由此產(chǎn)生的費(fèi)用。出廠(chǎng)調(diào)試結(jié)束、出廠(chǎng)前預(yù)驗(yàn)收完成后，賣(mài)方將為每個(gè)柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅(jiān)固，能適應(yīng)中國(guó)境內(nèi)公路、鐵路運(yùn)輸，并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場(chǎng)保存時(shí)間的要求。3、集電極電壓：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、柵極驅(qū)動(dòng)電流：滿(mǎn)足5A以下測(cè)試要求。包裝與運(yùn)輸由專(zhuān)人負(fù)責(zé)，每個(gè)部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠(chǎng)合格證、試驗(yàn)報(bào)告和主要器件說(shuō)明書(shū)等。