華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨測試，可實現(xiàn)的在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0。 近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù)，對一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀，包括動態(tài)測試儀，與國際品牌的設(shè)備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進(jìn)。

欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？ 當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進(jìn)行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。工作濕度 9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。

測試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒有老化的現(xiàn)象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機(jī)控制、快速的設(shè)定參數(shù)。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機(jī)自動判斷、自動比對。

關(guān)斷時間測試參數(shù)： 1、關(guān)斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關(guān)斷耗散功率Pon：10W～250kW 關(guān)斷時間測試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;