華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試，可實(shí)現(xiàn)的在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進(jìn)行。 近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù)，對一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀，包括動態(tài)測試儀，與的設(shè)備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進(jìn)。

IGBT測試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴(kuò)展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。培訓(xùn)后，應(yīng)能達(dá)到用戶能基本完全獨(dú)立熟練操作單元進(jìn)行功率半導(dǎo)體性能測試，并能解決實(shí)際工程問題。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換..現(xiàn)今PowerMOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。..等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

5 包裝、標(biāo)志和運(yùn)輸 賣方負(fù)責(zé)整套設(shè)備的包裝和運(yùn)輸，并負(fù)擔(dān)由此產(chǎn)生的費(fèi)用。出廠調(diào)試結(jié)束、出廠前預(yù)驗(yàn)收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅(jiān)固，能適應(yīng)中國境內(nèi)公路、鐵路運(yùn)輸，并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場保存時(shí)間的要求。包裝與運(yùn)輸由專人負(fù)責(zé)，每個部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗(yàn)報(bào)告和主要器件說明書等。（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0。