真空鍍膜應用，簡單地理解就是在真空環(huán)境下，利用蒸鍍、濺射以及隨后凝結的辦法，在金屬、玻璃、陶瓷、半導體以及塑料件等物體上鍍上金屬薄膜或者是覆蓋層。相對于傳統(tǒng)鍍膜方式，真空鍍膜應用屬于一種干式鍍膜。真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，膜不易受到污染，因此，可獲得致密性好、純度高、膜層均勻的膜。

物理氣相沉積：在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。

物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積的等離子化學氣相沉積等。

真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有障礙。

鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。

真空鍍膜的物理過程

基本原理可分為三個工藝步驟：

鍍料的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源

鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應。

鍍料粒子在基片表面的沉積