正性光刻膠

正性光刻膠

正性光刻膠也稱(chēng)為正膠。正性光刻膠樹(shù)脂是一種叫做線(xiàn)性酚醛樹(shù)脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學(xué)抗蝕性，當(dāng)沒(méi)有溶解存在時(shí)，線(xiàn)性酚醛樹(shù)脂會(huì)溶解在顯影液中，感光劑是光敏化合物，常見(jiàn)的是重氮萘醌（DNQ）。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國(guó)外光刻膠廠(chǎng)商相對(duì)于國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。在曝光前，DNQ是一種強(qiáng)烈的溶解，降低樹(shù)脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻膠中化學(xué)分解，成為溶解度增強(qiáng)劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應(yīng)會(huì)在DNQ中產(chǎn)生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對(duì)比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率。

光刻膠國(guó)內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國(guó)際水平差距的原因很多。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺(tái)上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。過(guò)去由于我國(guó)在開(kāi)始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個(gè)產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強(qiáng)，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時(shí)間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此，國(guó)外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對(duì)中國(guó)長(zhǎng)期保密。中國(guó)的研發(fā)技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展

NR77-20000PRR5光刻膠公司

6，堅(jiān)膜

堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。1Futurre光刻膠黏附性好，無(wú)需使用增粘劑（HMDS）1。堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗(yàn),光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對(duì)準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線(xiàn)條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒(méi)有被光刻膠覆蓋和保護(hù)的那部分進(jìn)行腐蝕掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。