磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌龋残枰ㄈ胍欢糠磻?yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。ITO薄膜的制備方法很多,如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會(huì)存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對(duì)于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對(duì)現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級(jí)別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對(duì)比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶面金屬化合物的形成。

由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。1-10Pa的Ar或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其他結(jié)構(gòu)表面生成化合物是資源的浪費(fèi)，在靶表面生成化合物一開始是提供化合物原子的源泉，到后來成為不斷提供更多化合物原子的障礙。

我國真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。磁控濺射鍍膜機(jī)的工作原理控濺射原理電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。國內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對(duì)于國外高1端鍍膜設(shè)備而言，在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性方面尚需提升，高1端設(shè)備仍依賴進(jìn)口。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場(chǎng)存在供大于求的情況，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。

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