電解蝕刻機(jī)

電蝕刻是利用金屬在以自來(lái)水或鹽水為蝕刻主體的液體中發(fā)生陽(yáng)極溶解的原理，（電解的作用下）將金屬進(jìn)行蝕刻，接通蝕刻電源，從而達(dá)到蝕刻的目的。市售的電解蝕刻機(jī)都是手動(dòng)噴淋式的，并且都是以鹽水為蝕刻溶液，功率有大小二種，優(yōu)點(diǎn)：無(wú)污染，但只有蝕刻一個(gè)步驟無(wú)污染是不行的，其他工序也必須無(wú)污染，適合實(shí)驗(yàn)生產(chǎn)、凹字小面積蝕刻。主要用做研究實(shí)驗(yàn)機(jī)，或者簡(jiǎn)單的在金屬上蝕刻標(biāo)記，也稱(chēng)為電打標(biāo)。缺點(diǎn)：蝕刻面不均勻，大面積腐蝕速度慢，不能用于量產(chǎn)，也不能做凸字大面積蝕刻，不能用做標(biāo)牌的大批量生產(chǎn)加工。由于電解蝕刻是在金屬導(dǎo)電的情況下形成蝕刻的，那么我們的產(chǎn)品在蝕刻下去有任何的深度時(shí)側(cè)面也將被蝕刻的，這樣很多精細(xì)圖案，精細(xì)文字將被蝕刻”爛“掉。

1、 化學(xué)蝕刻法—用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液直接對(duì)工件未被保護(hù)部位進(jìn)行化學(xué)腐蝕，這也是目前使用的一種方法，優(yōu)點(diǎn)是蝕刻深度可深可淺，蝕刻速度很快，缺點(diǎn)是腐蝕液對(duì)環(huán)境有很大的污染，特別是蝕刻液不易回收。并且在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)操作工人的身體健康有害。

2、 電化學(xué)蝕刻—這是一種把工件做陽(yáng)極，使用電解質(zhì)通電，陽(yáng)極溶解，從而達(dá)到蝕刻目的的方法，其優(yōu)點(diǎn)在于環(huán)保方面，對(duì)環(huán)境污染很小，對(duì)操作工人的身體健康無(wú)害，缺點(diǎn)是蝕刻深度較小，大面積蝕刻時(shí)，電流分布不均勻，深度不易控制。

3、 激光蝕刻法—優(yōu)點(diǎn)是線性邊沿整齊無(wú)側(cè)蝕現(xiàn)象，但成本很高，約為化學(xué)蝕刻法的一倍。印刷電路板行業(yè)印刷錫膏時(shí)，所用的不銹鋼絲網(wǎng)大多是用激光蝕刻法制作的。

　刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別：光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒(méi)有圖案）的部分，留下剩余的部分?？涛g相對(duì)光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機(jī)的作用相當(dāng)于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機(jī)的作用相當(dāng)于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機(jī)和光刻機(jī)性質(zhì)一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細(xì)活，一般到毫米就行。做芯片用的刻蝕機(jī)和光刻機(jī)，要到納米?，F(xiàn)在的手機(jī)芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺(tái)積電的10納米技術(shù)。10納米有多小呢？打個(gè)比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發(fā)絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米?，F(xiàn)在先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭的ASML公司，到10納米。臺(tái)積電買(mǎi)的都是它的光刻機(jī)。ASML公司實(shí)際上是美國(guó)、荷蘭、德國(guó)等多個(gè)國(guó)家技術(shù)合作的結(jié)果。因?yàn)檫@方面的研究難度太大，單個(gè)國(guó)家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在光刻機(jī)上努力研發(fā)。