【磁控濺射鍍膜設(shè)備】行業(yè)前景怎樣 

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那麼磁控濺射鍍膜設(shè)備可以運用于哪一方面呢？在硬塑鍍層中的運用：例如切削刀具、模具和耐磨損抗腐蝕等零配件。在安全防護鍍層中的運用：飛機發(fā)動機的葉子、小車厚鋼板、散熱器等。在裝飾設(shè)計裝飾品上的運用：手機套、表帶、眼鏡框、五金配件、裝飾品等鍍一層薄薄的膜。在光學(xué)薄膜行業(yè)中的運用：增透膜、高原反應(yīng)膜、截至濾光片、防偽標識膜等。在建筑玻璃層面的運用：太陽操縱膜、低輻射夾層玻璃、防霧防露和自清潔玻璃等。在太陽能利用應(yīng)用領(lǐng)域：太陽能發(fā)電集熱器、太陽電池等。在集成電路芯片生產(chǎn)制造中的運用：塑料薄膜變阻器、薄膜電容器、塑料薄膜溫度感應(yīng)器等。在信息內(nèi)容顯示信息應(yīng)用領(lǐng)域：液晶顯示屏、低溫等離子屏等。在信息內(nèi)容儲存應(yīng)用領(lǐng)域：磁信息內(nèi)容儲存、磁光信息內(nèi)容儲存等。在裝飾設(shè)計裝飾品上的運用：手機套、表帶、眼鏡框、五金配件、裝飾品等鍍一層薄薄的膜。 

磁控濺射種類

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。電子光學(xué)制造行業(yè)行業(yè)中，其是這種非快熱式鍍一層薄薄的膜技術(shù)性，關(guān)鍵運用在有機化學(xué)氣候堆積上。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入Ar和反應(yīng)氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易，而實際操作困難。主要問題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽極，真空腔體表面，以及靶源表面。從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。其原理是一對靶源互相為陰陽極，從而消除陽極表面氧化或氮化。冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所必需，因為能量很大一部分轉(zhuǎn)為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。

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直流磁控濺射技術(shù)

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。磁控濺射鍍膜機原理由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動。同時，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應(yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。濺射鍍膜技術(shù)濺射鍍膜濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進行了改進，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學(xué)級別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

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