蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長(zhǎng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動(dòng)，按基片晶格次序生長(zhǎng)結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長(zhǎng)速度可控制在1單層／秒。通過(guò)控制擋板,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。

陽(yáng)極氧化：主要是鋁的陽(yáng)極氧化，是利用電化學(xué)原理，在鋁和鋁合金的表面生成一層Al2O3（氧化鋁）膜。這層氧化膜具有防護(hù)性、裝飾性、絕緣性、耐磨性等特殊特性。

利用柔性拋光工具和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|(zhì)對(duì)工件表面進(jìn)行的修飾加工。針對(duì)不同的拋光過(guò)程:粗拋(基礎(chǔ)拋光過(guò)程)，中拋(精加工過(guò)程)和精拋(上光過(guò)程)，選用合適的拋光輪可以達(dá)到好的拋光效果，同時(shí)提高拋光效率。

技術(shù)特點(diǎn)：提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，得到光滑表面或鏡面光澤，同時(shí)也可消除光澤。

現(xiàn)有技術(shù)中的手機(jī)指環(huán)扣，都是通過(guò)指環(huán)與底盤中部之間的鉸接來(lái)實(shí)現(xiàn)指環(huán)相對(duì)底盤掀起，繼而實(shí)現(xiàn)指環(huán)扣的折疊或支起，當(dāng)指環(huán)扣處在支起的狀態(tài)時(shí)，指環(huán)扣只能相對(duì)手機(jī)殼自轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)從不同方向方便使用者使用；不銹鋼是容易產(chǎn)生硬化的材料，要求使用油膜強(qiáng)度高、抗燒結(jié)性好的拉伸油。同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)中的指環(huán)扣都只是僅包括有底盤和指環(huán)，對(duì)于指環(huán)扣的裝飾也限于底盤上的圖畫的變換，指環(huán)扣只能呈現(xiàn)一種靜態(tài)美。

可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中的手機(jī)指環(huán)扣存在以下不足：

一，現(xiàn)有的指環(huán)扣只能通過(guò)在底盤中部轉(zhuǎn)動(dòng)；

二，現(xiàn)有指環(huán)扣的裝飾難以根據(jù)使用者的喜愛(ài)而更換；

三，現(xiàn)有的指環(huán)扣上只能根據(jù)底盤的圖畫而呈現(xiàn)靜態(tài)美。