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在金屬內(nèi)部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復二極管小于快恢復二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關(guān)二極管；

由表可見，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

　　【ASEMI講解肖特基二極管的命名】

　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），

　　也有人叫做：肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡稱。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即為肖特基整流二極管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管，簡稱：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　勢壘：Barrier

　　SB:即為肖特基勢壘二極管

　　肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），國內(nèi)廠家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…

要想了解MUR2060CT與MUR2060CTR有何不同，首先要從二極管的原理定義開始說起。

二極管與快恢復二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理

二極管作為最常用的整流元器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理基礎(chǔ)就是只允許單方向電流通過并且進行整流，將交流電變?yōu)橹绷麟姟６诳旎謴投O管MUR2060CT和MUR2060CTR封裝內(nèi)部含有二個二極管，其橋式整流結(jié)構(gòu)也是由這兩個二極管組成的。