1.1 設(shè)備數(shù)量 1套 * 1.2 設(shè)備功能 測(cè)試功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù) * 1.3 設(shè)備組成 設(shè)備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分 * 1.4 硬件模塊 設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線纜，測(cè)試夾具、控制電腦等 * 1.5 軟件模塊 設(shè)備軟件部分應(yīng)包括： 1.操作系統(tǒng)、備份、保存、遠(yuǎn)程控制編輯、上傳、故障自檢報(bào)警等基本功能； 2. 圖形化操作界面；中/英文操作系統(tǒng) 3.輸出EXCEL、wor測(cè)試報(bào)告 *4.切換大小功率測(cè)試模塊，達(dá)到相應(yīng)測(cè)試精度 *5.可生成器件的I-V特性曲線，曲線上測(cè)試點(diǎn)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出到EXCEL表格； *6.同一測(cè)試條件的器件的測(cè)試曲線可以在軟件內(nèi)進(jìn)行對(duì)比，新測(cè)曲線可以與原測(cè)曲線進(jìn)行對(duì)比；IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求1、設(shè)備概述該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。 2、設(shè)備尺寸 2.1 設(shè)備總體長(zhǎng)度 ≤ 700 mm 2.2 設(shè)備總體寬度 ≤600mm 2.3 設(shè)備總體高度 ≤500mm

華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；（3）設(shè)備的功能特點(diǎn) 1）各種數(shù)據(jù)以圖形方式在檢測(cè)時(shí)實(shí)時(shí)顯示與記錄。自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。

?航空、電子信息等領(lǐng)域——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?機(jī)車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)

?現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新

?型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，

?以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

?優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。

3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導(dǎo)通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V；可生成器件的I-V特性曲線，曲線上測(cè)試點(diǎn)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出到EXCEL表格。 Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測(cè)試 0.1～5V 二極管導(dǎo)通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；