四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險。隨著芯片制程向7納米邁進，細(xì)微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品，是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒，在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在密閉容器中遇高熱有危險，不溶于水，可溶于苯、等部分溶劑。常溫常壓下穩(wěn)定，避免強氧化劑、可燃物。不燃?xì)怏w，遇高熱后容器內(nèi)壓增大，有開裂、炸危險?；瘜W(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不燃。常溫下只有液氨-試劑能發(fā)生作用。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，高純四氟化碳是一種高純電子氣體，在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。