電光調(diào)制器應(yīng)用

電光調(diào)制器應(yīng)用于激光通信的主要目的是對(duì)激光通信系統(tǒng)中激光器的速率、功率、寬帶的寬進(jìn)行有效調(diào)制，這要求電光調(diào)制器能夠在無失真?zhèn)鬏敿す獾幕A(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)對(duì)上述參數(shù)的有效調(diào)制。因此，進(jìn)行電光調(diào)制器設(shè)計(jì)，應(yīng)明確以下目標(biāo)：高消光比、低驅(qū)動(dòng)電壓、高調(diào)制速度、較大的帶寬、低損耗。提供基于鈮酸鋰晶體的高速光通信電光調(diào)制器，涵蓋10G/20G/40G/等類型。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多電光調(diào)制器的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

電光調(diào)制器的選擇應(yīng)考慮什么？

電光調(diào)制器的選擇應(yīng)考慮溫度補(bǔ)償、壓電諧振、光束發(fā)散角等因素。溫度補(bǔ)償方面，可采用兩個(gè)長(zhǎng)度相等的晶體中間插入一塊半波長(zhǎng)片或采用兩個(gè)長(zhǎng)度相等的晶體的外加電場(chǎng)軸相互垂直的結(jié)構(gòu)的方法來解決;壓電諧振方面，可采用金屬或樹脂加固晶體的方法來抑制諧振;光束發(fā)散方面應(yīng)將發(fā)散角控制為調(diào)直機(jī)孔徑的三分之二，來減少發(fā)散角。制作率的驅(qū)動(dòng)器是非常困難的，因此制作具有低Vp的調(diào)制器是很受歡迎的。

想了解更多關(guān)于電光調(diào)制器的相關(guān)資訊，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。

電光調(diào)制器系列

850nm電光強(qiáng)度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強(qiáng)度調(diào)制器采用先進(jìn)的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點(diǎn)，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時(shí)間基準(zhǔn)、脈沖發(fā)生器等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強(qiáng)度調(diào)制器     

LiNbO3強(qiáng)度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中?；贛Z推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計(jì)的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達(dá)、光纖傳感等領(lǐng)域。