多源有機(jī)無(wú)機(jī)蒸發(fā)?系統(tǒng)電阻熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)廠家

多源有機(jī)無(wú)機(jī)蒸發(fā)系統(tǒng)

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主要用途：

用于納米級(jí)單層及多層金屬膜、 半導(dǎo)體膜等新材料的制備。廣泛應(yīng)用 于大專(zhuān)院校的薄膜材料科研。

系統(tǒng)組成:

由真空室、蒸發(fā)源、樣品臺(tái)、 真空測(cè)量、膜厚測(cè)試、電控系統(tǒng)組成。

技術(shù)指標(biāo)：

極限真空度5.0×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S； 恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa

真空室：D形真空室，尺寸350× 380mm 

樣品臺(tái)：尺寸為4英寸厚度3mm的平面樣品；

電極：數(shù)量：4支水冷結(jié)構(gòu)；直徑Φ20㎜

樣品基片:，基片在鍍膜位置實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)?；臏囟葟氖覝刂?00℃

4套擋板系統(tǒng)：基片擋板與源擋板；靶擋板共有3套， 樣品擋板（１套）

石英晶振膜厚控制儀：膜厚測(cè)量范圍0-999999? 

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)。

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鈣鈦礦鍍膜設(shè)備

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設(shè)備用途 ：

適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作。廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無(wú)機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽(yáng)能電池、OLED等研究領(lǐng)域

設(shè)備組成：

該設(shè)備主要由沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、蒸發(fā)源、樣品加熱、電控系統(tǒng)、等部分組成。

      1、鍍膜室：方形前后開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板。

      2、真空度：鍍膜室的極限真空≤5×10-5Pa；

      3、蒸發(fā)源系統(tǒng)：有機(jī)源蒸發(fā)源4個(gè)，無(wú)機(jī)蒸發(fā)源2套

      4、樣品架系統(tǒng)：樣品大小為Φ150mm的樣品，旋轉(zhuǎn)速度為：0～30轉(zhuǎn)/分；

      5、樣品在鍍膜過(guò)程中，可烘烤加熱，加熱溫度為：室溫～190℃，測(cè)溫控溫。

      6、膜厚控制儀：測(cè)量范圍0-999999?