模塊電源的優(yōu)點

高可靠性

模塊一般采用自動化工藝，保證品質(zhì)和可靠性。電源模塊是經(jīng)過了專業(yè)電源研發(fā)團隊按照嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)來選擇元件，經(jīng)過設(shè)計和開發(fā)，進行過完善的可靠性測試和批量生產(chǎn)測試。而分立式方案就較難進行深入的測試。

高功率、密度、效率

模塊一般采用了多層PCB回鋁基板，功率密度較高，體積較小，節(jié)省了系統(tǒng)的占用空間。目前DC-DC模塊的1/4磚高達1000W，分立式方案難以達到這樣的標(biāo)準(zhǔn)。

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模塊電源易于維護、設(shè)計靈活、應(yīng)用廣泛

在產(chǎn)品應(yīng)用中，如果出現(xiàn)故障，只需替換另一個模塊即可正常工作。在設(shè)計中途如果需要改變方案，也只需變化其中的模塊，無需修改整體供電電路。

應(yīng)用廣泛

現(xiàn)已廣泛應(yīng)用在儀器儀表、汽車電子、軌道交通、數(shù)據(jù)通信、工業(yè)自動化、智能家居、航空航天、科研實驗、船舶、冶金礦山、電力系統(tǒng)、電子、安防監(jiān)控、新能源、石油化工、手持電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。

從公式2可以看出，減小開關(guān)節(jié)點的回路面積會有效降低電磁干擾水平。如果回路面積減小為原來的3倍，電磁干擾會降低9.5dB，如果減小為原來的10倍，則會降低20 dB。設(shè)計時，從化圖4和圖5所示的兩個回路節(jié)點的回路面積著手，細(xì)致考慮器件的布局問題，同時注意銅線連接問題。盡量避免同時使用PCB的兩面，因為通孔會使電感顯著，進而帶來其他問題。恰當(dāng)放置高頻輸入和輸出電容器的重要性常被忽略。若干年以前，我所在的公司曾把我們的產(chǎn)品設(shè)計轉(zhuǎn)讓給國外制造商。結(jié)果，我的工作職責(zé)也發(fā)生了很大變化，我成了一名顧問，幫助電源設(shè)計新手解決文中提到的一系列需要權(quán)衡的事宜及其他眾多問題。這里有一個含有集成鎮(zhèn)流器的離線式開關(guān)的設(shè)計例子：設(shè)計人員希望降低終功率級中的電磁干擾。我只是簡單地將高頻輸出電容器移動到更靠近輸出級的位置，其回路面積就大約只剩原來的一半，而電磁干擾就降低了約 6dB。在大功率場合,如電鍍、電解電源、電力機車牽引電源、中頻感應(yīng)加熱電源、電動機驅(qū)動電源等領(lǐng)域也有廣闊的應(yīng)用前景。而這位設(shè)計者顯然不太懂得其中的道理，他稱那個電容為“魔法帽子”，而事實上我們只是減小了開關(guān)節(jié)點的回路面積。

反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源與一般串聯(lián)式開關(guān)電源的區(qū)別是，這種反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源輸出的電壓是負(fù)電壓，正好與一般串聯(lián)式開關(guān)電源輸出的正電壓極性相反；軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管，在開通或關(guān)斷過程中，或是加于其上的電壓為零，即零電壓開關(guān)（Zero-Voltage-Switching，ZVS），或是通過開關(guān)管的電流為零，即零電流開關(guān)（Zero-Current·Switching，ZCS）。并且由于儲能電感L只在開關(guān)K關(guān)斷時才向負(fù)載輸出電流，因此，在相同條件下，反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源輸出的電流比串聯(lián)式開關(guān)電源輸出的電流小一倍。

開關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方向，高頻化使開關(guān)電源小型化，并使開關(guān)電源進入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用，推動了開關(guān)電源的發(fā)展前進，每年以超過兩位數(shù)字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。開關(guān)電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類，DC/DC變換器現(xiàn)已實現(xiàn)模塊化，且設(shè)計技術(shù)及生產(chǎn)工藝在國內(nèi)外均已成熟和標(biāo)準(zhǔn)化，并已得到用戶的認(rèn)可，但AC/DC的模塊化，因其自身的特性使得在模塊化的進程中，遇到較為復(fù)雜的技術(shù)和工藝制造問題。另外，開關(guān)電源的發(fā)展與應(yīng)用在節(jié)約能源、節(jié)約資源及保護環(huán)境方面都具有重要的意義。IGBT在零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開通時，并不能減小容性開通損耗。