晶體諧振器與晶體振蕩器的區(qū)別

1，晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因為晶體振蕩器內(nèi)部直接置入起振芯片，無需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業(yè)歸類為主動元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動元器件。

3，晶體振蕩器種類復雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器（SPXO）；溫補振蕩器（TCXO）；壓控振蕩器（VCXO），壓控溫補振蕩器（VC-TCXO）；恒溫振蕩器（OCXO）。而晶體諧振器只有一種，就是自身。

4，晶體振蕩器的精度高于晶體諧振器，因此兩者論性能穩(wěn)定度，莫屬晶體振蕩器出眾。晶體振蕩器中的溫補振蕩器較高精度可達到0.5ppm，晶體諧振器較高精度只能做到5ppm，且為DIP封裝，SMD封裝較高精度僅僅只有10PPM。

5，無疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。

其次，晶體與晶振弄混會導致哪些誤會。從上文的分析中我們可以得出結(jié)論，被動與主動的焊接電路是完全不同的，因晶體振蕩器無需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，如若兩者混淆采購，電路將無法正常起振。

晶體振蕩器基本知識

1、概念：電路上為一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，有兩個諧振點，較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。

這兩個頻率接近，再很窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，只要在晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容就可以組成并聯(lián)諧振電路。

2、選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率；

3、分類：無源晶振（crystal,晶體）、有源晶振（oscillator，振蕩器）；

4、振蕩原理：壓電效應；

5、壓電諧振：當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時，機械振動的幅度急劇增加；

6、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應來起振，石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來共同作用工作的；

振蕩器直接應用于電路中，諧振器的工作一般需要提供3.3V的電壓來維持工作。

振蕩器比諧振器多了一個重要的技術(shù)參數(shù)：諧振電阻（RR）；

7、Q值：衡量電感的主要參數(shù)，指電感器再某一頻率的交流下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與等效損耗電阻之比。

Q值越高，損耗越小，效率越高；

晶振的負載電容

晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。

一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負載電容 等效輸入電容=22pF。

石英晶體振蕩器與石英晶體諧振器都是提供穩(wěn)定電路頻率的一種電子器件

石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應來起振，而石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來共同作用來工作的。

振蕩器直接應用于電路中，諧振器工作時一般需要提供3.3V電壓來維持工作。振蕩器比諧振器多了一個重要技術(shù)參數(shù)為：諧振電阻（RR），諧振器沒有電阻要求。RR的大小直接影響電路的性能，也是各商家競爭的一個重要參數(shù)。

可能有些初學者會對晶振的頻率感到奇怪，12M、24M之類的晶振較好理解，選用如11.0592MHZ的晶振給人一種奇怪的感覺，這個問題解釋起來比較麻煩，如果初學者在練習串口編程的時候就會對此有所理解，這種晶振主要是可以方便和準確的設(shè)計串口或其它異步通訊時的波特率。