金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。這些材料不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應(yīng)電子封裝發(fā)展的要求，國內(nèi)開展對金屬基復(fù)合材料的研究和使用將是非常重要的。國內(nèi)外都有Al2O3彌散強化無氧高導(dǎo)銅產(chǎn)品，如美國SCM金屬制品公司的Glidcop含有99．7％的銅和0．3％彌散分布的Al2O3。加入Al2O3后，熱導(dǎo)率稍有減少，為365W(m-1K-1)，電阻率略有增加，為1．85μΩ·cm，但屈服強度得到明顯增加。鋁擠、DDG、粗銑內(nèi)接著將鋁合金板銑成手機機身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接著是粗銑內(nèi)腔，將內(nèi)腔以及夾具定位的柱加工好，起到精密加工的固定作用。

 金屬封裝外殼在將柱形鋁材按照前面評估的胚料大小進行切割并擠壓，這個過程被稱之為鋁擠，會讓鋁材擠壓之后成為規(guī)則的鋁板方便加工，同時更加致密，堅硬。因為原始的鋁材硬度和強度都不夠。傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。金屬封裝材料為實現(xiàn)對芯片支撐、電連接、熱耗散、機械和環(huán)境的保護，應(yīng)具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生；3D建模的難度由產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復(fù)雜。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。

傳統(tǒng)金屬封裝材料相比，它們主要有以下優(yōu)點：①可以通過改變增強體的種類、體積分數(shù)、排列方式或改變基體合金，改變材料的熱物理性能，滿足封裝熱耗散的要求，甚至簡化封裝的設(shè)計;②材料制造靈活，價格不斷降低，特別是可直接成形，避免了昂貴的加工費用和加工造成的材料損耗；金屬封裝外殼在將柱形鋁材按照前面評估的胚料大小進行切割并擠壓，這個過程被稱之為鋁擠，會讓鋁材擠壓之后成為規(guī)則的鋁板方便加工，同時更加致密，堅硬。金屬封裝外殼CNC加工開始前，首先需要建模與編程。3D建模的難度由產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復(fù)雜。國內(nèi)外都有Al2O3彌散強化無氧高導(dǎo)銅產(chǎn)品，如美國SCM金屬制品公司的Glidcop含有99．7％的銅和0．3％彌散分布的Al2O3。加入Al2O3后，熱導(dǎo)率稍有減少，為365W(m-1K-1)，電阻率略有增加，為1．85μΩ·cm，但屈服強度得到明顯增加。

 國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點是由于W的百分含量高而導(dǎo)致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強體的一種復(fù)合材料。除此之外，不一樣商品的夾裝方法不一樣，在加工前應(yīng)設(shè)計方案好夾具，一部分構(gòu)造繁瑣商品必須做專業(yè)的夾具。