影響減薄機(jī)減薄硅片平整度的因素有哪些?

減薄前將硅片粒結(jié)合在行星齒輪片上的沾片方法是十分重要的。因?yàn)楫?dāng)沾片的方法不合理時(shí)，減薄后的硅片厚度公差將會(huì)隨之增大，所以在沾片前我們要故的首步是將硅片按厚度分好檔，然后把硅片用蠟均勻地沾在行星齒輪片正、反兩面上，需要注意的是同一輪研磨的四塊或五塊行星齒輪片上的硅片厚度-定要均勻，如果硅片不按照厚度去分檔，而任意沾片，想要提高減薄后的硅片厚度公差是相對(duì)比較困難的。

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誠薄機(jī)對(duì)晶片誠薄的必要性及作用?

根據(jù)制造工藝的要求來講，目前對(duì)晶片的尺寸、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶結(jié)構(gòu)提出了較高的要求，因此，在制造工藝的過程中減薄機(jī)對(duì)晶片減薄是相對(duì)不可缺少的一部分。那么，關(guān)于晶片減薄的必要性及作用具體體現(xiàn)哪些方面呢?

1.提高芯片的散熱性能要求

在集成電路中，由于硅基體材料及互聯(lián)金屬層存在電阻，在電流的作用下，芯片要產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象。而在芯片工作的過程中，由于部分熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量逐漸升高，基體層之間的熱差異性加劇，這無疑加大了芯片的內(nèi)應(yīng)力。較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片生產(chǎn)，這是芯片損壞的主要原因之一。因此，只有通過減薄機(jī)對(duì)晶片背面進(jìn)行減薄，才可以降低芯片熱阻，有效提高芯片的散熱性能，從而降低了芯片破損的風(fēng)險(xiǎn)，提高了集成電路的可靠性。2.集成電路制造工藝要求

通過對(duì)晶片減薄工藝后，使其更加有利芯片分離，在一定程度上提高了劃片的質(zhì)量以及成品率。在許多集成電路制造領(lǐng)域內(nèi)，大家對(duì)集成電路芯片超薄化的要求是越來越高,要想得到高質(zhì)量的超薄芯片，我們就必須通過晶片減薄工藝的方式從而獲取。

通過以上兩點(diǎn)可以得出，只有通過減薄機(jī)對(duì)晶片減薄，才能更好的保證芯片的厚度及尺寸等方面的要求，這也足夠充分的體現(xiàn)了晶片減薄工藝的重要性。

減薄機(jī)主要特點(diǎn)

減薄機(jī)主要特點(diǎn)：

1、吸盤根據(jù)客戶的工藝要求可分為電磁吸盤和真空吸盤，吸盤大小可根據(jù)客戶需求定制，直徑320-600mm。。

2、砂輪主軸采用精密的高速旋轉(zhuǎn)電主軸，驅(qū)動(dòng)方式為變頻調(diào)速轉(zhuǎn)速可以根據(jù)不同的工藝要求由PLC控制系統(tǒng)支持的驅(qū)動(dòng)模式而相應(yīng)改變轉(zhuǎn)速3000-8000轉(zhuǎn)可調(diào)。

3、砂輪進(jìn)給模式分三段設(shè)置，能更方便地設(shè)置有效的減薄方案，提高減薄后的精密度和表面效果，

4、對(duì)刀方式在不改變砂輪和吸盤的情況下，針對(duì)不同厚度的工件只需要一次對(duì)刀就可以連續(xù)工作，不需要每次都要對(duì)刀。

5、本機(jī)采用高精密絲桿及導(dǎo)軌組件，驅(qū)動(dòng)方式是伺服驅(qū)動(dòng)，可根據(jù)不同材質(zhì)的工件及工藝要求由PLC控制的驅(qū)動(dòng)模式而相應(yīng)的改變絲桿的轉(zhuǎn)速，也就是砂輪的進(jìn)刀速度，速度0.001-5mm/min可調(diào)，控制進(jìn)給精度由高分辨率光柵尺檢測。

6、本機(jī)采用先進(jìn)的臺(tái)灣品牌PLC和觸摸屏，自動(dòng)化程度高，實(shí)現(xiàn)人機(jī)對(duì)話，操作簡單一目了然。

7、設(shè)備可檢測磨削扭力、自動(dòng)調(diào)節(jié)工件磨削速度，從而防止工件磨削過程中因壓力過大產(chǎn)生變形及破損，自動(dòng)補(bǔ)償砂輪磨損厚度尺寸，可使直徑150晶片厚度減薄到0.08mm厚而不會(huì)破碎。而且平行度與平面度可控制在±0.002mm范圍內(nèi)。

8.減薄，LED藍(lán)寶石襯底每分鐘磨削速度高可減薄48微米。硅片每分鐘磨削速度高可減薄250微米。