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AF真空鍍膜機(jī)量大從優(yōu) 至成鍍膜機(jī)

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發(fā)布時(shí)間:2021-10-23 07:20  









多功能真空鍍膜機(jī)是怎么構(gòu)成的?


多功能真空鍍膜機(jī)是磁控濺射、多弧離子、蒸發(fā)鍍膜的混合性設(shè)備,是在多弧離子鍍膜機(jī)的基礎(chǔ)上裝備圓柱靶或平面磁控靶,設(shè)備具有離子鍍的高離化率、高堆積速度的特色,一起也具有磁控濺射低溫、安穩(wěn)的長(zhǎng)處,合適鍍各種復(fù)合膜。

多功能真空鍍膜機(jī)--磁控、中頻、多弧離子鍍膜具體介紹:

①蒸騰與磁控濺射的混合設(shè)備:多功能,合適量產(chǎn),適應(yīng)性強(qiáng)。

②磁控濺射與多弧離子鍍的混合運(yùn)用:多弧能夠進(jìn)步炮擊清洗質(zhì)量,添加薄膜與基材結(jié)合力。與磁控濺射一起作業(yè)可鍍制復(fù)合膜(高能離子源清洗活化,成膜速度快)。


③多對(duì)中頻磁控濺射靶與柱弧離子鍍的混合運(yùn)用:中頻靶更安穩(wěn)(如Al),離化率高、堆積速率快、成膜均勻。中頻反應(yīng)濺射如鍍制Si02、TiO2,一起鍍多層不一樣原料簿膜。

④射頻、直流、中頻、柱弧的混合運(yùn)用:射頻能夠直接鍍制絕緣保護(hù)膜如SiO2/Ag/SiO2

⑤圓柱弧、中頻、多弧的混合運(yùn)用:柱弧確保高離化率的一起,削減大顆粒堆積的份額,到達(dá)有好的結(jié)合力又有較好表面光潔度的作用。多功能真空鍍膜機(jī)適用中高層次商品如表帶、表殼、眼鏡框、手機(jī)殼、高爾夫球具、衛(wèi)浴潔具、飾品等。



真空鍍膜機(jī)磁控濺射主要工藝流程:


1、基片清洗,主要是用蒸汽清洗,隨后用乙醇浸泡基片后快速烘干,以去除表面油污;

2、抽真空,真空須控制在2×104Pa以上,以保證薄膜的純度;

3、加熱,為了除去基片表面水分,提高膜與基片的結(jié)合力,需要對(duì)基片進(jìn)行加熱,溫度一般選擇在150℃~200℃之間;

4、Ar氣分壓,一般選擇在0.01~1Pa范圍內(nèi),以滿足輝光放電的氣壓條件;

5、預(yù)濺射,預(yù)濺射是通過(guò)離子轟擊以除去靶材表面氧化膜,以免影響薄膜質(zhì)量;

6、濺射,Ar氣電離后形成的正離子在正交的磁場(chǎng)和電場(chǎng)的作用下,高速轟擊靶材,使濺射出的靶材粒子到達(dá)基片表面沉積成膜;

7、退火,薄膜與基片的熱膨脹系數(shù)有差異,結(jié)合力小,退火時(shí)薄膜與基片原子相互擴(kuò)散可以有效提高粘著力。

真空鍍膜機(jī)磁控濺射鍍膜的特點(diǎn):薄膜純度高,致密,厚度均勻可控制,工藝重復(fù)性比較好,附著力強(qiáng)。

依據(jù)濺射源的不同,真空鍍膜機(jī)磁控濺射有直流和射頻之分,兩者的主要區(qū)別在于氣體放電方式不同,真空鍍膜機(jī)射頻磁控濺射利用的是射頻放電,陶瓷產(chǎn)品使用的是射頻磁控濺射鍍。



采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層有什么優(yōu)勢(shì)


采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),膜層的壽命更長(zhǎng);同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。PVD膜層能直接鍍?cè)诓讳P鋼、硬質(zhì)合金上、鈦合金、陶瓷等表面,對(duì)鋅合金、銅、鐵等壓鑄件應(yīng)先進(jìn)行化學(xué)電鍍鉻,然后才適合鍍PVD。PVD鍍膜技術(shù)是一種能夠真正獲得微米級(jí)鍍層且無(wú)污染的環(huán)保型表面處理方法,它能夠制備各種單一金屬膜(如鋁、鈦、鋯、鉻等)、氮化物膜(TiN[鈦金]、ZrN〔鋯金〕、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如TiO等)。PVD鍍膜膜層的厚度為微米級(jí),厚度較薄,一般為0.1μm~5μm,其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.1μm~2μm,因此可以在幾乎不影響工件原來(lái)尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能,并能夠維持工件尺寸基本不變,鍍后不須再加工。

多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)具有以下特點(diǎn):可以任意安裝使薄膜均勻。外加磁場(chǎng)可以改善電弧放電;使電弧細(xì)碎;旋轉(zhuǎn)速度加快;細(xì)化膜層微粒;對(duì)帶電粒子產(chǎn)生加速作用。金屬離化率高,有利于薄膜的均勻性和提高附著力,是實(shí)現(xiàn)離子鍍膜的良好工藝。一弧多用,既是蒸發(fā)源,又是預(yù)轟擊凈化源和離化源。



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