離子鍍膜設備的操作規(guī)范是怎樣的?

離子鍍膜設備的操作規(guī)范是怎樣的？ 1、設備中的真空管道、靜態(tài)密封零部件（法蘭、密封圈等）的結構形式，應符合GB/T6070的規(guī)定。 2、在低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上應安裝真空測量規(guī)管，分別測量各部位的真空度。當發(fā)現(xiàn)電場對測量造成干擾時，應在測量口處安裝電場屏蔽裝置。 3、如果設備使用的主泵為擴散泵時，應在泵的進氣口一側裝設有油蒸捕集阱 4、設備的鍍膜室應設有觀察窗，應設有擋板裝置。觀察窗應能觀察到沉積源的工作情況以及其他關鍵部位。 5、離子鍍沉積源的設計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。 6、合理布置加熱裝置，一般加熱器結構布局應使被鍍工件溫升均勻一致。 7、工件架應與真空室體絕緣，工件架的設計應使工件膜層均勻。 8、離子鍍膜設備一般應具有工件負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應具有抑制非正常放電裝置，維持工作穩(wěn)定。

真空鍍膜機真空器件的常用檢漏方法

真空鍍膜機真空器件的常用檢漏方法 依據(jù)電真空器材的結構特色及丈量精度要求，常用的有兩種檢漏辦法，即氦罩法和噴吹法（這兩種檢漏辦法具體介紹可見：氦罩法和噴吹法的氦質(zhì)譜檢漏儀檢漏常見辦法）。檢漏時，先用氦罩法進行總漏率的測定，當總漏率超出答應值后再用噴吹法進行漏孔的認位。 氦罩法是被檢件與檢漏儀銜接抽真空到達檢漏狀況后，用一個充溢氦氣的查驗罩，把被檢件全體或部分的表面面包圍起來，如圖4所示。查驗罩充氦時先將罩內(nèi)空氣排出再充氦，以確保罩內(nèi)氦濃度盡可能挨近100百分之，被檢件上任何地方有走漏。 檢漏儀都會有漏率值改變，顯示出漏率值。氦罩時刻也要繼續(xù)3~5倍檢漏儀呼應時刻。ASM192T2氦質(zhì)譜檢漏儀反應時刻小于0.5s,因而氦罩時刻30s即可。氦罩法可方便地測定被檢件總漏率，不會漏掉任何一處漏點，但不能確認漏孔方位。 噴吹法是將被檢件與儀器的真空體系相連，對被檢件抽真空后用噴槍向漏孔處吹噴氦氣。當有漏孔存在時，氦氣就經(jīng)過漏孔進入質(zhì)譜儀被檢測出，噴吹法彌補了氦罩法不能定位的缺點。

磁控濺射鍍膜技術介紹

磁控濺射鍍膜技術介紹 磁控濺射鍍膜設備是一種具有結構簡單、電器控制穩(wěn)定性好等優(yōu)點的真空鍍膜機，其工藝技術的選擇對薄膜的性能具有非常重要的影響。 磁控濺射鍍膜技術在陶瓷表面裝飾中采用的工藝流程如下： 陶瓷片→超聲清洗→裝夾→抽本底真空→plasma清洗→加熱→通氣→預濺射→抽本底真空→濺射(或多次濺射)→鍍AF膜→破真空卸片→表面檢驗→性能測試→包裝、入庫。 以上工藝技術就是以磁控濺射鍍膜設備為基礎，選用合適的靶材和濺射工藝，制備出超硬的耐磨鍍層，可以實現(xiàn)材料的高硬度、高耐磨、高耐劃傷特性；同時，利用NCVM光學膜結構設計，設計出各層不同折射率材料，可以調(diào)配出任意顏色，使得陶瓷不僅硬度高、強度高，具備外觀件時尚、美觀的特點，而且不會屏蔽電磁信號。 磁控濺射鍍膜設備配合NCVM工藝，能夠實現(xiàn)對于陶瓷電子消費品的表面裝飾處理，在保證陶瓷強度和硬度的同時，也能夠提升其美觀性和藝術性，更好地滿足消費者的個性化需求。NCVM鍍膜主要是在真空條件下，通過相應的物理化學手段來對金屬材料進行轉換，以粒子的方式吸附在材料表面，形成鍍膜層，相比較普通真空電鍍，NCVM的技術含量更高，加工流程也更加復雜。 磁控濺射鍍超硬膜，結合NCVM光學鍍膜技術，其鍍層具有優(yōu)異的耐磨性、耐蝕性、鍍層厚度均勻性以及致密度高等特點，已在電子產(chǎn)品中獲得大量應用。隨著電子工業(yè)的迅猛發(fā)展，NCVM鍍膜憑借本身優(yōu)越的性能，在真空電鍍技術領域脫穎而出，成為了電子消費品生產(chǎn)中的一項核心技術，在保證良好處理效果的同時，也能夠消除電鍍過程中重金屬元素對于人體的危害，對其環(huán)境污染問題進行解決。