KOAN 時(shí)鐘振蕩器在電力系統(tǒng)設(shè)備上的應(yīng)用

a) 電力系統(tǒng)自動(dòng)控制設(shè)備，電力系統(tǒng)智能監(jiān)控儀表，電力系統(tǒng)機(jī)電保護(hù)設(shè)備，智能斷路器，變壓器容量及特性測試儀器，智能電力家居，網(wǎng)絡(luò)化電能表，射頻識別控制器。

b) 發(fā)展方向：電力電子化，交流微型電網(wǎng)互聯(lián)，全網(wǎng)系統(tǒng)化控制。

c) 難點(diǎn)：南北溫濕度巨大差異對主板穩(wěn)定性影響不容忽視。

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KOAN 石英晶振溫度穩(wěn)定性為什么優(yōu)于 MEMS 振蕩器

KOAN 石英晶體振蕩器的頻率與溫度遵循 AT 切晶體的連續(xù)立方曲線；MEMS 振蕩器的頻率與溫度特性似乎優(yōu)于晶體振蕩器。然而, 隨著溫度的上升，MEMS 振蕩器的鎖向電路以離散步驟調(diào)整頻率，頻率溫度曲線圖呈鋸齒狀曲線。此現(xiàn)象表明當(dāng)溫度上升，MEMS 振蕩器切換到溫度補(bǔ)償，導(dǎo)致頻率小范圍跳變。由于晶體的設(shè)計(jì)，加工水平差異以及外圍電路雜散電容難以確定，又一定程度上增加了匹配難度，追求精準(zhǔn)匹配的晶體振蕩器應(yīng)運(yùn)而生。

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KOAN 石英晶振短期和長期穩(wěn)定性優(yōu)于 MEMS 振蕩器

我們選取了同樣頻率的石英振蕩器和 MEMS 振蕩器，在 25°C 條件下，每隔 0.1 秒測量一次調(diào)整偏差，總共八分鐘。頻率變化以一次讀數(shù)引用的 ppm 顯示。石英振蕩器的變化量小于±0.02ppm (20ppb). 試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明石英振蕩器和MEMS 振蕩器的設(shè)計(jì)和特性不一樣。MEMS 器件中的低 Q 值會(huì)導(dǎo)致頻率變化。MEMS 振蕩器的 ppm 的快速變化表明溫度補(bǔ)償電路在時(shí)刻根據(jù)諧振器溫度變化而變化。什么是石英可編程晶振KOAN石英晶振與MEMS振蕩器的電路設(shè)計(jì)區(qū)別：石英晶體在電子設(shè)備中被用作時(shí)鐘或頻率基準(zhǔn)源，堪稱設(shè)備心臟，直接影響設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)水平和穩(wěn)定性。PPL 電路中的數(shù)字變化，用于校正頻率。石英振蕩器有更好的 Q 值，并且不需要數(shù)字校正信號，因此短期穩(wěn)定更好。（省略長期穩(wěn)定性）

KOAN 時(shí)鐘振蕩器方波 CMOS 輸出系列編號封裝尺寸解讀

KS08：K-KOAN，S-CMOS，08 直插正方?KS08W：W-寬溫特性

KS14：K-KOAN，S-CMOS，14 直插長方 ?KS14W：W-寬溫特性

KS70：K-KOAN，S-CMOS，70-SMD7050 ?KS70W：W-寬溫特性

KS7050：K-KOAN，S-CMOS，7050-SMD*KHz

KS708T：K-KOAN，S-CMOS，708-SMD7050（8pin），T-CMOS

KS50：K-KOAN，S-CMOS，50-SMD5032 ?KS50W：W-寬溫特性

KS5032：K-KOAN，S-CMOS，5032-SMD*KHz

KS508T：K-KOAN，S-CMOS，508-SMD5032（8pin），T-CMOS

KS506T：K-KOAN，S-CMOS，506-SMD5032（6pin），T-CMOS

KS32：K-KOAN，S-CMOS，32-SMD3225 ?KS32W：W-寬溫特性

KS3225：K-KOAN，S-CMOS，3225-SMD*KHz

KS25：K-KOAN，S-CMOS，25-SMD2520 ?KS25W：W-寬溫特性

KS20：K-KOAN，S-CMOS，20-SMD2016 ?KS20W：W-寬溫特性

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