高溫微型壓力傳感器基本組成及制作工藝

高溫微型壓力傳感器基本組成及制作工藝 硅電容式壓力傳感器的敏感元件是半導體薄膜,它可以由單晶硅、多晶硅等利用半導體工藝制作而成。典型的電容式傳感器由上下電極、絕緣體和襯底構成。當薄膜受壓力作用時,薄膜會發(fā)生一定的變形,因此,上下電極之間的距離發(fā)生一定的變化,從而使電容發(fā)生變化。但電容式壓力傳感器的電容與上下電極之間的距離的關系是非線性關系,因此,要用具有補償功能的測量電路對輸出電容進行非線性補償。由于高溫壓力傳感器工作在高溫環(huán)境下,補償電路會受到環(huán)境溫度的影響,從而產(chǎn)生較大的誤差?；谀Ｐ妥R別的高溫壓力傳感器,正是為了避免補償電路在高溫環(huán)境下工作產(chǎn)生較大誤差而設計的,其設計方案是把傳感器件與放大電路分離,通過模型識別來得到所測環(huán)境的壓力。高溫工作區(qū)溫度可達350℃。傳感器件由鉑電阻和電容式壓力傳感器構成。 高溫壓力傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向異性腐蝕技術,在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決定。 硅膜片和襯底利用鍵合技術鍵合在一起,形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容壓力傳感器[2]。由于鉑電阻耐高溫,且對溫度敏感,選用鉑電阻,既可以當普通電阻使用,又可以作為溫度傳感器用以探測被測環(huán)境的溫度。金屬鉑電阻和硅膜片的參數(shù)為:0℃時鉑電阻值為1000Ω;電阻率為1.0526316×10-5Ω?cm;密度為21440kg/m3;比熱為132.51J/(kg?K)、熔斷溫度為1769℃,故鉑電阻可加工為寬度為0.02mm;厚度為0.2μm;總長度為3800μm,制作成鋸齒狀,可在幅值為 10V的階躍信號下正常工作。電容式壓力傳感器的上下電極的間隙為3μm、圓形平板電容上下電極的半徑為73μm、其電容值為50pF。

智能壓力傳感器的特點有哪些?

與傳統(tǒng)傳感器相比，智能壓力傳感器的特點是： ??量程寬：智能壓力傳感器的測量范圍大，負載能力強。 ??集中控制：微處理器控制整個系統(tǒng)，自身控制處理數(shù)字能力大，智能壓力傳感器經(jīng)由軟件程序利用微處理器，發(fā)揮系統(tǒng)的多功能和優(yōu)點，實現(xiàn)了集中的控制。 ??適應能力強：傳感器運行時，會根據(jù)各個部件運轉效率以及功耗，通過分析信號，調節(jié)運行，提升了效率。 ??價比高：智能壓力傳感器通過調節(jié)核心芯片和計算機的協(xié)調工作，對于制作工藝要求不高，采購性價比高的芯片，并不影響，所以比傳統(tǒng)傳感器造價低。 ??準確度高：智能壓力傳感器的自行校準、自設量程、自動補償和自動修正各類誤差等保證了它的高準確度，通過程序軟件實現(xiàn)這些功能，相比以前更易實現(xiàn)。

高精度壓力傳感器校準方法和兩線制

高精度壓力傳感器校準方法和兩線制 具體操作過程如下：當變送器的壓力值為零f或下限值).其電流輸出值不是4.000mA或其示值誤差超出允許范圍時.通常采用手操器進行清零操作。當無論如何清零，電流輸出值偽不能滿足要求時，在輸入端加人壓力(由式(1)計算)。此時通過手操器進行清零操作.隨后將輸入端壓力變?yōu)榱?。這時的壓力零位輸出值就基本接近4.000mA或在示值誤差允許范圍內(nèi)如果零點還有誤差且有必要調整.應反復執(zhí)行此操作式中：廣一變送器輸入端壓力，Pa;一變送器輸入端量程上限壓力值，Pa;Pl廠變送器輸入端量程零點(下限)壓力值，Pa;，r校準前變送器輸出值，mA;，廠變送器零點理論輸出值，mA，電流輸出為4.000mA;——變送器量程上限理論輸出值.mA，電流輸出為20.O00mA。

如何簡單檢測壓力高精度壓力傳感器?

如何簡單檢測壓力高精度壓力傳感器? 1.橋路的檢測，主要檢測高精度壓力傳感器的電路是否正確，一般是全橋電路，利用萬用表的歐姆檔，量輸入端之間的阻抗、以及輸出端之間的阻抗，這兩個阻抗就是壓力高精度壓力傳感器的輸入、輸出阻抗。如果阻抗是無窮大，橋路就是斷開的，說明高精度壓力傳感器有問題或者引腳的定義沒有判斷正確。 2.零點的檢測，用萬用表的電壓檔，檢測在沒有施加壓力的條件下，高精度壓力傳感器的零點輸出。這個輸出一般為mV級的電壓，如果超出了高精度壓力傳感器的技術指標，就說明高精度壓力傳感器的零點偏差超范圍。 3.加壓檢測，檢單的方法是：給高精度壓力傳感器供電，用嘴吹壓力高精度壓力傳感器的導氣孔，用萬用表的電壓檔檢測高精度壓力傳感器輸出端的電壓變化。如果壓力高精度壓力傳感器的相對靈敏度很大，這個變化量會明顯。如果絲毫沒有變化，就需要改用氣壓源施加壓力。