微弧氧化技術(shù)

      在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在，因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜，至今還沒有一個(gè)合理的模型能描述陶瓷層的形成。

      微弧氧化膜層與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。微弧氧化技術(shù)具有操作簡單和易于實(shí)現(xiàn)膜層功能調(diào)節(jié)的特點(diǎn)，而且工藝不復(fù)雜，不造成環(huán)境污染，是一項(xiàng)全新的綠色環(huán)保型材料表面處理技術(shù)，在航空航天、機(jī)械、電子、裝飾等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

微弧氧化現(xiàn)象及特點(diǎn)

       在陽極氧化過程中，當(dāng)鋁合金上施加的電壓超過一定范圍時(shí)，鋁合金表面的氧化膜就會被擊穿。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并ji活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。隨著電壓的繼續(xù)不斷升高，氧化膜的表面會出現(xiàn)輝光放電，微弧和火花放電燈現(xiàn)象。在微弧氧化的過程下，原來生產(chǎn)的氧化膜不會脫落，只有表面一部分氧化膜可能會被粉化而沉淀在溶液中，脫落的表面可以繼續(xù)氧化，隨著外加電壓的升高，或時(shí)間的延長，微弧氧化膜厚度會不斷增加，直至達(dá)到外加電壓所對應(yīng)的終厚度。

微弧氧化的優(yōu)勢

       微弧氧化是一種直接在有色金屬表面原位生長陶瓷層的新技術(shù)，微弧氧化技術(shù)是近十幾年在陽極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，但兩者在機(jī)理上、工藝上以及膜層性能上都有許多不同之處。在開通電源后，正脈沖電壓快速升高，電流迅速下降，作為陽極的待氧化試樣開始進(jìn)行陽極氧化,產(chǎn)生大量微小氣泡，同時(shí)在試樣表面形成了一層極薄的鈍化膜。所謂等離子體就是由大量的自由電子和離子組成，且在整體上表現(xiàn)為電中性的物質(zhì)，它被稱為固態(tài)、氣態(tài)和液態(tài)以外的第四態(tài)。處于熱等離子態(tài)的物質(zhì)具有強(qiáng)的導(dǎo)電性，且能量集中，溫度較高，是一個(gè)高熱、高溫的能源。與傳統(tǒng)的陽極氧化法相比，微弧氧化陶瓷膜與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性、具有廣闊的應(yīng)用前景。