至成鍍膜機多靶離子束濺射鍍膜機

至成鍍膜機多靶離子束濺射鍍膜機是研究超導、類金剛石、光學、磁性等高質(zhì)量薄膜和材料表面改性的光機一體化的現(xiàn)代化鍍膜設(shè)備。該機采用四靶、雙離子源、離子源為考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正離子束或中性粒子轟擊靶材料，使材料表面的原子和分子從母材中濺射出來，沉積在基片上成膜?？慑冎迫我獠牧?，包括金屬、合金、超導體、半導體、絕緣體等。該機采用80年代剛剛發(fā)展起來的離子束濺射技術(shù)，利用雙離子源、主槍，對靶材轟擊，輔槍在鍍前對基片進行清洗，增強基片的活性，提高結(jié)合力及純度。沉積過程中低能轟擊膜，增強沉積原子表面擴散和遷移，減少薄膜結(jié)晶結(jié)的缺陷，并配有對基片處理的各種功能，如加熱、冷卻、旋轉(zhuǎn)、激光處理、掩膜等。引出柵φ25mm離子能量，1500ev能量束流大于80mA。

真空鍍膜的膜層厚度如何測量？

在使用真空鍍膜機鍍膜之后，為了需要可能會要測量膜層的厚度，測量膜層的厚度用什么方法呢?

直接的鍍膜控制方法是石英晶體微量平衡法(QCM)，這種儀器可以直接驅(qū)動蒸發(fā)源，通過PID控制循環(huán)驅(qū)動擋板，保持蒸發(fā)速率。

只要將儀器與系統(tǒng)控制軟件相連接，它就可以控制整個的鍍膜過程。但是(QCM)的精準度是有限的，部分原因是由于它監(jiān)控的是被鍍膜的質(zhì)量而不是其光學厚度。

此外雖然QCM在較低溫度下非常穩(wěn)定，但溫度較高時，它會變得對溫度非常敏感。在長時間的加熱過程中，很難阻止傳感器跌入這個敏感區(qū)域，從而對膜層造成重大誤差。

光學監(jiān)控是高精密鍍膜的的優(yōu)選監(jiān)控方式，這是因為它可以更精準地控制膜層厚度(如果運用得當)。

精準度的改進源于很多因素，但根本的原因是對光學厚度的監(jiān)控。

離子真空鍍膜機鍍膜工藝及鍍膜產(chǎn)品表面防腐方法

不銹鋼基材通常會用拋光、拉絲、噴砂、化學蝕刻、激光雕刻、數(shù)控機床雕刻等作表面美工處理，有的還用激光焊接，水法電鍍鎳鉻層等。那么離子真空鍍膜機啟到了很關(guān)鍵的作用，今天至成小編為大家講解一下離子真空鍍膜機鍍膜工藝及鍍膜產(chǎn)品表面防腐方法。

其實大家都知道，以上介紹幾種不銹鋼基材表面處理方法，各自有各自的優(yōu)勢和劣勢。如：拋光作業(yè)會在工件上殘留難以去除的硬化了的拋光蠟；尼龍輪拉絲在拉絲溝上會殘留透明的不易發(fā)現(xiàn)的高分子化合物；砂輪拉絲可能殘留磨粒和粘結(jié)劑，或因摩擦過熱產(chǎn)生氧化皮；噴砂會有陶瓷砂粒﹑玻璃砂粒、氧化鋁砂粒殘留鑲嵌在表面上；化學蝕刻會有腐蝕產(chǎn)物殘留在腐蝕坑內(nèi)，或在其它非腐蝕表面上殘留用于防腐蝕的保護物質(zhì)；激光雕刻處理會產(chǎn)生高溫氧化皮和燒蝕基體碎片殘留；數(shù)控機床雕刻會有高溫氧化皮和切削油殘留，還會有基材碎片被壓入基體上；激光焊接也會導致高溫氧化等；水法電鍍鉻層會生成難以去除的復雜氧化物，這些處理引起的污染不徹底清除會導致離子鍍過程打火、鍍層假附著、掉膜、顏色不均等不良。

在離子真空鍍膜機鍍產(chǎn)品中美工處理方式往往不是單一的，而是多種作業(yè)組合，這更增加了鍍前清洗的困難。采用傳統(tǒng)的超聲去油除蠟的方法是不能勝任的，必須調(diào)整清洗工藝，對不同的污染，可選擇機械清除、氣相清洗﹑真空加熱后再清洗、陰極電解﹑陽極電解、或采用針對性的清洗劑等等。這些綜合措施可取得較好的效果，但對有些污染仍未找到理想的解決辦法。新近等離子體拋光方法應用到鍍前清洗是值得關(guān)注的技術(shù)，該技術(shù)在某些鍍層的褪鍍?nèi)〉昧己眯Ч?

多弧離子真空鍍膜機的由來

我國在真空鍍膜行業(yè)，目前更多的應用都集中在裝飾方面，對能有效地提高關(guān)鍵部件使用壽命機械功能薄膜的制備設(shè)備、工藝及應用研究方面還遠遠落后于國外先進水平。同時，裝飾鍍方面也逐漸向耐磨和裝飾雙重功能的方向發(fā)展，之前的離子鍍膜機已體現(xiàn)出不能滿足裝飾鍍要求的問題。本技術(shù)的研發(fā)成功，將打破國內(nèi)機械功能耐磨減摩薄膜完全依靠國外技術(shù)的被動局面；對提高我國裝備制造業(yè)的技術(shù)水平和真空離子鍍的技術(shù)發(fā)展都是一個非常好的作用。另外，將制備的耐磨減摩薄膜應用于其它關(guān)鍵部件中，起到了非常好的節(jié)約能源和提率的作用，可替代部分原來電鍍的工藝，對環(huán)境保護起到很好的作用。

目前，國際上機械功能硬質(zhì)薄膜（特別是刀具用膜層）大多采用陰極電弧沉積技術(shù)，但陰極電弧沉積存在的主要技術(shù)問題是所制備的膜層表面不夠光潔，有較多的顆粒，影響應用性能；特別是國內(nèi)制造的陰極電弧沉積設(shè)備顆粒問題尤為嚴重。在此技術(shù)基礎(chǔ)上引入磁過濾技術(shù)，雖可解決表面沉積的顆粒問題，但沉積效率只有原來的1/10左右，并且沉積面積小，從而使生產(chǎn)周期長，制造成本高，不適合大批量鍍膜生產(chǎn)應用。而磁控濺射技術(shù)所制備的膜層表面光潔、細膩，沉積速率適中，能均勻地大面積沉積薄膜。但磁控濺射技術(shù)也存在離化率低（一般在10％），所制備的膜層在硬度、耐磨性及結(jié)合力上不如陰極電弧技術(shù)所制備的膜層；在進行化學反應性鍍膜（如TiN、TiO2）時，由于金屬粒子的離化率低、反應活性差，必須過量通入反應性氣體，造成磁控靶面的毒化（化學反應），引起蒸發(fā)速率急劇降低等一系列雪崩式后果，使得磁控濺射反應鍍膜存在著不穩(wěn)定性和不可控性。