微弧氧化過程

       在微弧氧化處理過程中，待氧化試樣與電源正極相連，作為陽極浸入電解液之中，不銹鋼電解槽作為陰極與電源負(fù)極相連。微弧氧化技術(shù)受哪些因素影響1、時(shí)間對微弧氧化的影響微弧氧化時(shí)間一般控制在10～60min。在開通電源后，正脈沖電壓快速升高，電流迅速下降，作為陽極的待氧化試樣開始進(jìn)行陽極氧化,產(chǎn)生大量微小氣泡，同時(shí)在試樣表面形成了一層極薄的鈍化膜。當(dāng)外加脈沖電壓超過一定值時(shí)，材料表面出現(xiàn)一層極細(xì)微均勻的放電火花，這種微區(qū)火花放電現(xiàn)象在試樣表面不同位置出現(xiàn)，在待微弧氧化表面原位生長陶瓷膜層，以達(dá)到強(qiáng)化材料表面的目的。微弧氧化設(shè)備、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、鋁合金微弧氧化、微弧噴涂

微弧氧化技術(shù)

      在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在，因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜，至今還沒有一個(gè)合理的模型能描述陶瓷層的形成。

      微弧氧化膜層與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。在微弧氧化的過程下，原來生產(chǎn)的氧化膜不會脫落，只有表面一部分氧化膜可能會被粉化而沉淀在溶液中，脫落的表面可以繼續(xù)氧化，隨著外加電壓的升高，或時(shí)間的延長，微弧氧化膜厚度會不斷增加，直至達(dá)到外加電壓所對應(yīng)的最終厚度。微弧氧化技術(shù)具有操作簡單和易于實(shí)現(xiàn)膜層功能調(diào)節(jié)的特點(diǎn)，而且工藝不復(fù)雜，不造成環(huán)境污染，是一項(xiàng)全新的綠色環(huán)保型材料表面處理技術(shù)，在航空航天、機(jī)械、電子、裝飾等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

微弧氧化

      微弧氧化是輕金屬在其特定的電解液及電場條件下，原位生長陶瓷膜的新技術(shù)。由于微弧氧化是在陽極氧化膜被電ji穿的基礎(chǔ)上進(jìn)行的，所以在探討微弧氧化機(jī)理時(shí)我們要結(jié)合電ji穿理論的研究和發(fā)展，從而闡述微弧氧化基本原理。微弧氧化原理是將Al、Mg、Ti等輕金屬或其合金置于電解質(zhì)水溶液中作為陽極，利用電化學(xué)方法在該材料的表面產(chǎn)生火花放電斑點(diǎn)，在熱化學(xué)、等離子體化學(xué)和電化學(xué)的共同作用下，獲得金屬氧化物陶瓷層的一種表面改性技術(shù)。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化工藝