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ASEMI肖特基二極管新品介紹——

SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:

1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。

2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非常快，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產(chǎn)品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

MUR2060CTR產(chǎn)品參數(shù)與整流原理圖

“陽”指的是正極、正向電流或者指輸入，“共陽”意味著共用一條引線作為輸入端。MUR2060CTR是共陽管，就表明這個(gè)型號的快恢復(fù)二極管的輸入正向電流是共用一條引線的。由下圖可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封裝，有3條引腳，即引線；共用的一條引線為中間的引腳，因此電流方向是兩段輸出，中間輸入的。