標牌電蝕刻問題

1.不銹鋼(300系列)在中會鈍化,不會腐蝕.面鹽酸和會造成不銹鋼的腐蝕,優(yōu)以HF為重.

2.蝕刻不銹鋼用NaCl()水溶液就可以,黃銅可以考慮用NaCl和NaNo3(鈉)混合溶液.

3.蝕刻鋁牌與其它金屬一樣,不存在的電蝕比化學(xué)蝕刻快,電蝕對小面積細線條的圖案,按每次一塊與化學(xué)蝕刻相絲,要快5-10倍(看蝕刻液配方及蝕刻頭形狀,陰陽極間距,蝕刻溫度,電源波形),但化學(xué)蝕刻一次蝕刻的面積可能要較電刻大幾十或數(shù)百倍(如用PCB機),所以這種說法不準確!此方法所使用的溶液為二價銅,不是氨-銅蝕刻,它將有可能被用在印制電路工業(yè)中。

蝕刻液的 PH 值﹕

堿性蝕刻液的 PH 值較高時﹐側(cè)蝕會增大。 為了減少側(cè)蝕﹐PH 值一般應(yīng)控制在 8.5 以下。 蝕刻液的密度﹕ 堿性蝕刻液的密度太低會加重側(cè)蝕﹐選用高銅濃度的蝕刻液對減少側(cè)蝕非常有利。④用噴淋式蝕刻機蝕刻用數(shù)個噴水頭從上向下噴淋蝕刻液，金屬板放在下邊的傳送帶上向前走，控制好速度，走出后即蝕刻完畢。 銅箔厚度﹕ 要達到小側(cè)蝕的細導(dǎo)線的蝕刻﹐采用（超）薄銅箔。 而且線寬越細﹐銅箔厚度應(yīng)越 薄。 因為, 銅箔越薄在蝕刻液中的時間會越短﹐側(cè)蝕量就越小。 2. 提高基板與基板之間蝕刻速率的一致性 在連續(xù)的板蝕刻中﹐蝕刻速率的一致性越高﹐越能獲得蝕刻均勻的板。 要達到這一 個要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個過程始終保持在很好的蝕刻狀態(tài)。

化學(xué)蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團）與表面反應(yīng)， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應(yīng)離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。結(jié)合得不好，可能使保護層在蝕刻過程中脫落，最終會導(dǎo)致文字、圖案等出現(xiàn)變形甚至模糊。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。

一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時設(shè)置的溫度、速度、需根據(jù)酸液的濃度及材料導(dǎo)電層附著力的強弱而調(diào)節(jié),以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數(shù)；而蝕刻則是一種有意識、有選擇性的，為達到預(yù)期目的而實施的一種刻意行為。 b.同時生產(chǎn)前需做首件檢測原材料方阻,方阻需在要求范圍之內(nèi)才可正常生產(chǎn)； c.兩槽酸液流量要適中范圍； d.如出現(xiàn)刻不斷等其它的現(xiàn)象時請優(yōu)先調(diào)整各階段的速度以 1.5 為基準往上調(diào)或往下調(diào)； e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。 （2）堿洗、脫膜(Glass)