CF50高溫束源爐

 CF50高溫束源爐是MBE專用的可加熱至1600℃-1900℃。采用外水冷套結(jié)構(gòu),加熱，溫度測(cè)量控制重復(fù)性好，并且可以調(diào)節(jié)。因每根柒包線之間絕緣，傳導(dǎo)中、高頻電流，無表面集膚效應(yīng)，與其它同截面水冷電纜相比，通過相同的電流時(shí)，發(fā)熱量少。鉭燈絲的優(yōu)化設(shè)計(jì)確保了加熱穩(wěn)定性，即使在極限溫度下也可以具有很長(zhǎng)的使用壽命。用于低蒸汽壓的元素和化合物材料薄膜沉積，例如Fe，Cr，Ni，Co，Au，Ge等材料，以及表面科學(xué)分析和磁性或氧化物薄膜沉積。

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水冷電纜電極性能要求

水冷電纜外護(hù)套膠管耐擊穿電壓V≧2300V。

水冷電纜外護(hù)套膠管耐工作水壓P≧0.6Mpa。

外護(hù)套膠管與電極接口處冷卻水無滲漏。

軟體導(dǎo)線與電極在專用設(shè)備上冷擠壓緊固。

200mm2標(biāo)稱截面積的試驗(yàn)拉力為15KN，在此基礎(chǔ)上，水冷電纜標(biāo)稱截面積每增加100mm2，試驗(yàn)拉力值相應(yīng)增, 加5KN。

水冷電纜的表面溫升（包括連接處）不大于40K。

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濺射靶材的種類

濺射靶材的種類較多,即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。按照不同的分類方法,能夠?qū)R射靶材分為不同的類別,主要分類情況如下:

按形狀分類:長(zhǎng)靶、方靶、圓靶

按化學(xué)成份分類:金屬靶材(純金屬鋁、鈦、銅、鉭等)、合金靶材(鎳鉻合金、鎳鈷合金等)、陶瓷化合物靶材(氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等)

按應(yīng)用領(lǐng)域分類:半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、I具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。

表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體 是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控靶材，我們公司堅(jiān)持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠(chéng)為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠(chéng)地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

濺射靶材的作用是什么？

濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子 ,在真空中經(jīng)過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。濺射靶材的分類:濺射靶材根據(jù)形狀可分為長(zhǎng)靶，方靶,圓靶,異型靶。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。