1、 化學(xué)蝕刻法—用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液直接對(duì)工件未被保護(hù)部位進(jìn)行化學(xué)腐蝕，這也是目前使用的一種方法，優(yōu)點(diǎn)是蝕刻深度可深可淺，蝕刻速度很快，缺點(diǎn)是腐蝕液對(duì)環(huán)境有很大的污染，特別是蝕刻液不易回收。并且在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)操作工人的身體健康有害。

2、 電化學(xué)蝕刻—這是一種把工件做陽(yáng)極，使用電解質(zhì)通電，陽(yáng)極溶解，從而達(dá)到蝕刻目的的方法，其優(yōu)點(diǎn)在于環(huán)保方面，對(duì)環(huán)境污染很小，對(duì)操作工人的身體健康無(wú)害，缺點(diǎn)是蝕刻深度較小，大面積蝕刻時(shí)，電流分布不均勻，深度不易控制。

3、 激光蝕刻法—優(yōu)點(diǎn)是線性邊沿整齊無(wú)側(cè)蝕現(xiàn)象，但成本很高，約為化學(xué)蝕刻法的一倍。印刷電路板行業(yè)印刷錫膏時(shí)，所用的不銹鋼絲網(wǎng)大多是用激光蝕刻法制作的。

蝕刻機(jī)特性、金屬材料蝕刻機(jī)特性總的有： 1、蝕刻機(jī)選用齒輪傳動(dòng)，做霧化自噴，合理配置；生產(chǎn)加工規(guī)格長(zhǎng)短不限定，速度更快、； 2、蝕刻機(jī)方便使用：合理地設(shè)計(jì)方案自噴與被蝕刻金屬片的合理總面積和蝕刻勻稱(chēng)水平；蝕刻實(shí)際效果、速率和作業(yè)者的自然環(huán)境及便捷水平等層面都是有改進(jìn)；應(yīng)用充足，大幅度降低產(chǎn)品成本； 3、蝕刻速率在傳統(tǒng)式蝕刻法上進(jìn)一步提高：經(jīng)不斷試驗(yàn)噴涌工作壓力在1-2 kg/cm 2 的狀況下被蝕刻鋼件上所殘余的蝕刻圬漬能被合理清處掉； 4、蝕刻機(jī)生產(chǎn)廠家可依據(jù)顧客規(guī)定，有對(duì)于的訂制非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格和特性：如搖擺式、窗式、抽拉式、旋轉(zhuǎn)式、斜面式、傾斜面式、冷卻（中央空調(diào)冷卻或放水循環(huán)系統(tǒng)冷卻）等； 5、蝕刻機(jī)可組配蝕刻線：顯影機(jī)、蝕刻機(jī)、退膜機(jī)； 6、蝕刻機(jī)大批量辦公標(biāo)識(shí)標(biāo)牌流水線作業(yè)：配備全自動(dòng)風(fēng)干電烤箱，全自動(dòng)兩面顯影機(jī)，自動(dòng)上色機(jī)，制版機(jī)，電鍍工藝機(jī)。

硬烘、刻蝕等工序，Photolithography（光刻）意思是用光來(lái)制造一個(gè)圖形。（工藝）；在硅片外表勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光，刻膠上的將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時(shí)“”到硅片上的過(guò)，程。光刻的目的，使表有疏水性，增強(qiáng)基底外表與光刻膠的黏附性，丈量臺(tái)、臺(tái)承載硅片的作業(yè)臺(tái)。也便是本次所說(shuō)。的雙作業(yè)臺(tái)，光束糾正器糾正光束入射方向，讓激光束盡量平行，能量操控器操控終照硅片上的能量，缺少，或過(guò)足都會(huì)嚴(yán)重影響成像質(zhì)量。光束形狀設(shè)置設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，同的光束狀況有不同的光學(xué)特性。遮光器在不需求的時(shí)分。

蝕刻機(jī),標(biāo)牌蝕刻機(jī),不銹鋼蝕刻機(jī),自動(dòng)蝕刻機(jī),激光蝕刻機(jī),金屬標(biāo)牌腐蝕機(jī),不銹鋼銘牌蝕刻機(jī),電解蝕刻機(jī),蝕刻設(shè)備,小型蝕刻機(jī)器