KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因?yàn)樗麄冇械偷?Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定；

C 遠(yuǎn)端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。

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KOAN 壓控振蕩器的發(fā)展趨勢

A.小型化、薄片化和片式化：

B.高穩(wěn)定度；

C.低噪聲，高頻化；

D.低功能，快速啟動，低電壓工作，低電平驅(qū)動和低電流消耗已成為一個趨勢；

E.多功能 KOAN 可編程石英晶振得到了快速發(fā)展。

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KOAN 壓控晶振的高低電平，脈沖寬度，占空比概述

電源電壓 Vdd /-10%，1：Vdd90%min，0：Vdd10%max，閥值電平 Vdd50%，不定電平 Vdd10%-Vdd90%，高電平噪聲容限 Vdd90%-Vdd50%，低電平容限Vdd10%-Vdd50%，脈沖寬度上升沿 Vdd50%-下降沿 50%，占空比：脈沖寬度 t與脈沖周期 T 的比值。

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