KOAN 晶體濾波器(MCF) 參數(shù)介紹：濾波器通帶中心頻率

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濾波器通帶的中心頻率 f0，一般取 f0=（f1 f2）/2，f1、f2 為帶通或帶阻濾波器左、右相對(duì)下降 1dB 或 3dB 邊頻點(diǎn)，常以插損點(diǎn)為中心頻率計(jì)算通帶帶寬。

通帶寬度；通帶帶寬(BWxdB)：需要通過(guò)的頻譜寬度，BWxdB=(f2-f1)。f1、f2 為以中心頻率 f0 處插入損耗為基準(zhǔn)，下降 X(dB)處對(duì)應(yīng)的左、右邊頻點(diǎn)。指相對(duì)衰耗小于和等于某一規(guī)定值時(shí)的頻率寬度（如 1dB、2dB、3dB、6dB 等）。

KOAN 晶體濾波器(MCF)： 參數(shù)介紹：插入損耗和帶內(nèi)波動(dòng)，帶內(nèi)相位線性度

插入損耗：由于濾波器的引入對(duì)電路中原有信號(hào)帶來(lái)的衰耗，以中心或截止頻率處損耗表征，信號(hào)源直接傳送給負(fù)載阻抗的功率（P0）和插入濾波器后傳送給負(fù)載阻抗的功率（P1）之比的對(duì)數(shù)值，常用分貝（dB）為單位進(jìn)行度量，表示為IL=10 lg （P0/ P1）。帶內(nèi)相位線性度：表征濾波器對(duì)通帶內(nèi)傳輸信號(hào)的相位失真度。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) 參數(shù)介紹：帶內(nèi)駐波比，阻帶抑制度

帶內(nèi)駐波比(VSWR)：衡量濾波器通帶內(nèi)信號(hào)是否良好匹配傳輸?shù)囊豁?xiàng)重要指標(biāo)。理想匹配 VSWR=1：1，失配時(shí) VSWR>1。對(duì)于一個(gè)實(shí)際的濾波器而言，滿足 VSWR<1.5：1 的帶寬一般小于 BW3dB，其占 BW3dB 的比例與濾波器階數(shù)和插損相關(guān)。

阻帶抑制度：衡量濾波器選擇性能好壞的重要指標(biāo)。該指標(biāo)越高說(shuō)明對(duì)帶外干擾信號(hào)抑制的越好。濾波器階數(shù)越多矩形度越高——即 K 越接近理想值 1，制作難度當(dāng)然也就越大。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) ，EMI ： 和差分輸出晶振的共同目標(biāo)降低電磁干擾

電磁干擾被定義為當(dāng)一個(gè)設(shè)備的電磁場(chǎng)通過(guò)輻射和/或傳導(dǎo)路徑干擾,阻礙或降低另一個(gè)設(shè)備的電磁場(chǎng)時(shí)自然發(fā)生的現(xiàn)象.電磁干擾會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)或多個(gè)電子設(shè)備相互干擾,并影響它們的性能和操作。電磁干擾是對(duì)頻率源輻射能量的測(cè)量,通常在給定頻率下以 dBmV/m(分貝-伏特每米)為單位進(jìn)行測(cè)量.輻射能量越大,該參數(shù)越大.因此,頻率源發(fā)射的能量越多,產(chǎn)生的電場(chǎng)和電磁干擾就越大.定義電磁干擾測(cè)量的頻譜時(shí),需要區(qū)分峰值電磁輻射和平均電磁輻射.平均發(fā)射被定義為給定頻譜上的平均 dBmV/m 水平.峰值發(fā)射定義為給定頻譜內(nèi)任何頻率下的大dBmV/m 水平.

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