化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學(xué)等的項目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點及特點：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團，同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。

等離子體化學(xué)氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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