微硅粉是冶金電爐在2000℃以上高溫時產(chǎn)生的SiO2和Si氣體與空氣中的氧氣迅速氧化并冷凝而形成的一種超細(xì)硅質(zhì)粉體材料。微硅粉外觀為灰色或灰白色粉末﹑耐火度>1600℃。容重：200～250千克/立方米。微硅粉的細(xì)度：其細(xì)度和比表面積約為水泥的80～100倍，粉煤灰的50～70倍。微硅粉中細(xì)度小于1μm的占80%以上，均勻粒徑在0.1～0.3μm，比表面積為:20～28m2/g。顆粒形態(tài)與礦相結(jié)構(gòu)：摻有微硅粉的物料，微小的球狀體可以起到潤滑的作用。 微硅粉在形成過程中，因相變的過程中受表面張力的作用，形成了非結(jié)晶相無定形圓球狀顆粒，且表面較為光滑，有些則是多個圓球顆粒粘在一起的團圓體。它是一種比表面積很大，活性很高的火山灰物質(zhì)。

硅微粉用于覆銅板行業(yè)具有顯著的物理特性：三高——高絕緣性、高熱傳導(dǎo)性、高熱穩(wěn)定性；三低——低熱膨脹系數(shù)、低介電常數(shù)、低原料成本；兩耐——耐酸堿性、耐磨性。隨著二氧化硅自身表面處理條件的改進，改善了它與樹脂體系的相容性，所以二氧化硅作為一種填料應(yīng)用到覆銅板中，不但可降低成本，還能改進覆銅板的某些性能(如熱膨脹系數(shù)、彎曲強度、尺寸穩(wěn)定性?？傊?，從機械性能、電性能、熱性能以及在體系中的分散性方面，二氧化硅都具有優(yōu)勢。

　　一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結(jié)晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。