方箱PECVD簡(jiǎn)介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽(yáng)電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來(lái)在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設(shè)備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開(kāi)門(mén)；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達(dá)到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動(dòng)匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計(jì)使用7個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

以上就是關(guān)于方箱PECVD鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話或關(guān)注沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司！

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來(lái)分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜

金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類(lèi)比較廣泛，不過(guò)大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。

Goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等?；瘜W(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜，在電極材料上的使用在未來(lái)將很有潛力。