電池片的檢驗

振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。

一14、漏漿

A級： 漏漿單獨總面積低于0.5*0.5mm，總數低于3個 

B級：跑模單獨總面積低于1。0*1.0mm總數不分

C級：跑模單獨總面積低于1。0*2。0mm總數不分 

缺點/報廢片： 

超過C級片的規(guī)定為缺點片，超過缺點片規(guī)定的為報費片。 

注：（1）在一切正常包裝印刷圖型處時，依照“包裝印刷圖型”要求分辨，沒有包裝印刷圖型處時依照以上要求辨別。 

（2）跑模在背靜電場或背電級時，依據鋁苞要求分辨

（3）跑模在側邊時，假如影象電池片電氣性能和外型時，則返修后再次歸類檢驗，隨后再次判斷，假如不危害電池片電氣性能和外型的時候一切正常排出 

（4）硅晶掉下來按跑?？偯娣e判斷新的規(guī)范：與舊的規(guī)范同樣側邊漏漿片做打磨拋光片解決打磨拋光片處理過程非鋁苞片：一概出口（不 Rsh≥6）零頭和滿包全入出口貨位備注名稱：DM選用黃標識鋁苞片：暫未作自購片待產品研發(fā)作部件實驗（ Rsh≥6）零頭入鋁苞零頭貨位滿包入鋁苞滿包貨位備注名稱：DM LB選用白標識

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1. 溫度

溫度過高，首先就是 IPA不好控制，溫度一高， IPA 的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了 PN 結的有效面積，反應加劇 , 還會出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。

可控程度：調節(jié)機器的設置，可以很好的調節(jié)溫度。

2. 時間

金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數開始成長；金字塔密布的絨面已經形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。可控程度：調節(jié)設備參數，可以調節(jié)時間。

3.IPA

1. 協(xié)助氫氣的釋放。 2. 減弱 NaOH 溶液對硅片的腐蝕力度，調節(jié)各向因子。純 NaOH 溶液在高溫下對原子排列比較稀疏的 100 晶面和比較致密的 111 晶面破壞比較大，各個晶面被腐蝕而消融， IPA 明顯減弱 NaOH 的腐蝕強度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。乙醇含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于 1 。

可控程度：根據配液的含量，及每次大約消耗的量，來補充一定量的液體，控制精度不高。

4.NaOH

形成金字塔絨面。 NaOH濃度越高，金字塔體積越小，反應初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨 NaOH 濃度變化比較顯著，濃度高的 NaOH 溶液與硅反映的速度加快，再反應一段時間后，金字塔體積更大。 NaOH 濃度超過一定界限時，各向異性因子變小，絨面會越來越差，類似于拋光。可控程度：與 IPA 類似，控制精度不高。

1. 通過測試數據監(jiān)控生產電池片的效率及暗電流等參數是否正常。

2. 對生產的電池片進行分檔，將相同電性能的電池片分在一起以便做成組件。

標準測試條件

1. 光源輻照度： 1000W/m2 。  

2. 測試溫度：   25℃ 。

3.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布。

測試參數

1. 開路電壓

在一定的溫度和輻照度條件下，太陽電池在空載情況下的端電壓，用 V oc 表示， PN 結開路，即 I=0 ，此時 PN 結兩端的電壓即為開路電壓。將I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太陽電池的開路電壓與電池面積大小無關。太陽電池的開路電壓與入射光譜輻照度的對數成正比。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

1、   車間段位構成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質量決定了電池片的轉換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細 柵方向，預防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內要及時送入下一工序。