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多靶磁控濺射儀廠家誠(chéng)信企業(yè)推薦「沈陽(yáng)鵬程」

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發(fā)布時(shí)間:2021-10-23 04:29  






磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?! ?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成?!?

技術(shù)指標(biāo):  極限真空度6.7×10-5Pa,系統(tǒng)漏率:1×10-7PaL/S;  恢復(fù)真空時(shí)間:40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa(短時(shí)間暴露  大氣并充干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣)  

鍍膜方式:磁控靶為直靶,向下濺射成膜;  樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V  

樣品轉(zhuǎn)盤(pán):在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控,在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤(pán)由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng),計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞;  

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng),計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能:對(duì)位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時(shí)間的變化做實(shí)時(shí)采集,對(duì)位移誤差進(jìn)行計(jì)算,以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對(duì)位移曲線可在線性和對(duì)數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換,可實(shí)現(xiàn)換位鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容,希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識(shí),歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。



什么是磁控濺射?

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。樣品基片:負(fù)偏壓-200V樣品轉(zhuǎn)盤(pán):在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控,在真空下可輪流任意靶位互換工作。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。

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自動(dòng)磁控濺射系鍍膜機(jī)介紹

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)選配項(xiàng):

RF、DC濺射

熱蒸鍍能力

RF或DC偏壓(1000V)

樣品臺(tái)可加熱到700°C

膜厚監(jiān)測(cè)儀

基片的RF射頻等離子清洗


應(yīng)用:

晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆

光學(xué)以及ITO涂覆

帶高溫樣品臺(tái)和脈沖DC電源的硬涂覆

帶RF射頻等離子放電的反應(yīng)濺射




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