PEDOT-顯示器的未來？

                                         —均質處理PEDOT

　　自百川英樹等發(fā)現(xiàn)用碘或者氟h鉀摻雜的聚y炔具有與金屬相當?shù)膶щ娦裕妼士蛇_10SS/cm以來，導電高分子成為科學的研究熱點。這種雜化的薄膜提供了多條導電通道，有利于載流子的傳輸和電荷收集，從而增強了器件響應的可靠性。3,4y烯二氧基撐s吩（EDOT）的聚合物PEDOT具有獨特的有點，如電導率高，透明性好，性能優(yōu)良，在物體表面范圍內的薄層產生作用，還具有較好的抗水解性，光穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性以及優(yōu)良的電化學性能

　　20世紀80年代后期，德國拜耳公司以PSS（聚對by烯磺酸）摻雜PEDOT，解決了PEDOT的溶解性問題，從而使PEDOT/PSS的應用更加廣泛。

　　PEDOT/PSS懸浮液在塑料或玻璃表面，可以形成透明的PEDOT/PSS導電膜，不僅加工處理方便，而且具有可見光透過率高，用量小，抗水解性能好，綠色環(huán)保（水基分散體）等優(yōu)點，使得PEDOT獲得了巨大的商業(yè)成功，在有機薄膜太陽能電池材料，OLED材料，電致變色材料，透明電極材料等領域有廣闊應用前景，在靜電屏蔽也有應用。這類材料可應用于電致變色智能窗、電致變色顯示器、無眩反射鏡、電色儲存器件、紅外發(fā)s器件、雷達吸波材料等多個領域。

不同PEDOT核殼分散體的制備總結

聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）由于其高導電性、低能隙、優(yōu)異的薄膜透明性以及環(huán)境穩(wěn)定性在抗靜電涂層、光電子器件、電容器、電磁屏蔽、傳感器、金屬防腐等領域具有廣闊的應用前景，然而其不溶問題限制了其應用。除了在單體水相聚合時加入聚by烯磺酸（PSS）制備PEDOT分散體外，許多研究者也開始探索其他方法，如制備PEDOT與其他物質的核殼分散體。自抑制法制備PEDOT厚膜和PEDOT/Te量子點復合薄膜進一步通過調節(jié)氧化劑的比例可以控制Te含量和粒徑，最x粒徑可達到量子點級（<。本文將對主要幾種PEDOT核殼分散體的制備進行總結。

考慮PEDOT:PSS材料本身的特性和硅表面結構光學管理后，硅與背金屬電極界面的接觸情況成為了制約電池效率提升的主要因素，硅/金屬的直接接觸會導致界面處形成肖特基勢壘，對電子傳輸?shù)淖璧K作用極大，同時界面處嚴重的復合造成了載流子的損失?；诖耍x用氧化鋅作為電子選擇性材料，將其用于界面處形成金屬-介質-半導體結構，并對氧化鋅進行Li摻雜調節(jié)其功函數(shù)進一步減小或消除界面勢壘。前一制備單體EDOT的方法為傳統(tǒng)意義上的”五步合成法”，也是多年來報道過的唯y方法。另外，對硅表面通過本征非晶硅層鈍化，這樣既能鈍化硅又能改善電接觸。并結合硅金字塔陷光結構，終實現(xiàn)超過15%的電池轉換效率。

調控導電高分子對陰離子的分子結構來調控對陰離子的位阻，實現(xiàn)了薄膜自抑制法聚合（SIP）新工藝，獲得了可應用的PEDOT厚膜材料，使得便捷制備微米級高電導率（&gt;103 S/cm）PEDOT薄膜成為可能。在此研究基礎上，在自抑制效果下實現(xiàn)了高膜厚無氣孔PEDOT:DBSA-Te點復合薄膜的同步生成。而且PEDOT/PSS其制作過程無副產物，容易控制，且不發(fā)生其他無關的化學聚合反應，不會影響產品的性能。通過新型Fe(III)氧化劑的自抑制作用，實現(xiàn)了PEDOT基體對均勻分散Te顆粒的緊密包覆，成功抑制了Te納米顆粒的氧化。